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三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品

来源:综合报道    2026-03-17
据悉,三星电子将量产的首款样品是一款平面SiC MOSFET。

据媒体报道,三星电子计划于今年第三季度量产SiC(碳化硅)功率半导体样品,该公司近期已订购原材料和组件。据悉,三星电子将量产的首款样品是一款平面SiC MOSFET。MOSFET是一种用于开关和放大电子信号的晶体管。