3 月 24 日，作为SEMICON China 2026 同期举办的旗舰活动之一，亚洲化合物半导体大会（CS Asia）在上海浦东嘉里大酒店正式拉开帷幕。这场亚洲乃至全球顶尖的化合物半导体产业盛会，首日便汇聚了全球产业链知名企业高层与行业专家，围绕氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽禁带半导体核心技术，深度探讨 AI 时代下的产业发展机遇与创新方向。 

SEMI中国总裁冯莉女士在致辞中表示，作为 SEMICON China 同期的旗舰论坛之一，亚洲化合物半导体大会起源于自2015年起就开始举办的功率及化合物半导体国际论坛，历经十余年的积淀与发展，已成为亚洲地区极具影响力、全球范围内备受关注的化合物半导体专业交流平台，SEMI China将发挥自身优势，为产业链上下游搭建起全方位、高效的沟通与合作桥梁。

芯粤能董事长肖国伟博士主持开幕演讲环节。新微半导体 CEO 王庆宇博士、英飞凌氮化镓业务部高级副总裁兼总经理 Johannes Schoiswohl 博士、Axcelis 总裁兼 CEO Russell Low 博士、天岳先进 CTO 高超博士、芯粤能副总裁兼 CTO 相奇博士、Wolfspeed 产品营销高级总监 Jonathan Liao 等行业大咖受邀担任演讲嘉宾，从材料研发、设备制造、器件创新到市场应用、电源技术升级等关键议题，分享前沿成果与实践思考。

演讲嘉宾指出，当前 AI 计算需求呈爆发式增长，直接推动数据中心能耗大幅攀升，预计到本年代末，数据中心用电量将占全球总用电量的 7%，高能耗成为制约 AI 产业可持续发展的重要因素。而以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体，凭借更高功率密度、更高能效与成本优化的核心优势，将在新一代高密度 AI 电源系统中迎来广阔应用空间，尤其在电源供应单元、备用电池单元、中间总线转换器等核心场景，能够为更高效、可扩展、可持续的 AI 计算与数据中心建设提供关键技术支撑。同时，交通电气化、可再生能源开发、工业自动化等领域的快速发展，对电力电子器件提出了更高的性能要求，可靠性、耐用性与系统寿命成为汽车、工业等关键领域的核心考量。氮化镓、碳化硅等宽禁带半导体技术的持续突破，将为高可靠电力电子系统打造核心支撑，助力终端系统性能不断升级，适配各行业智能化、低碳化发展需求。

在半导体设备与本土产业链发展方面，行业技术创新与产业升级同步提速。Axcelis 为代表的设备供应商，深耕离子注入技术研发与创新，相关产品覆盖多器件应用领域，其先进的离子注入技术为碳化硅功率器件的高性能与高可靠性提供了坚实保障。本土产业链方面，我国化合物半导体产业迎来加速发展期，碳化硅衬底材料实现关键突破，8英寸晶圆已进入量产阶段，12 英寸晶圆研发也已取得积极进展，氮化镓、碳化硅芯片的市场占有率持续稳步提升，本土供应链的竞争力不断增强。

本届亚洲化合物半导体大会首日便吸引了海内外 300 余位专业观众到场参与，参会人群覆盖化合物半导体产业链上游材料、核心设备，中游器件制造，下游终端应用等全环节企业代表，为产业链各方搭建了技术交流、资源对接、合作共赢的优质平台，助力全球化合物半导体产业在 AI 时代实现协同发展。

亚洲化合物半导体大会（CS Asia）还将于3月25日-26日陆续举办四场重磅分论坛，来自全球三十余位行业大咖分享 GaN/SiC 技术、氧化镓以及金刚石宽禁带以及超宽禁带半导体、三五族化合物半导体以及功率、射频、激光、红外等技术在智能汽车、数据传输、高效电源、AR、通讯等应用领域最新进展，特别聚焦AI时代下化合物半导体的技术潜力与市场机遇，涵盖材料、设备、器件、应用全产业链。