据韩国《每日经济新闻》近日引述产业消息报道，三星电子将利用其位于美国得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆代工厂，为AMD和英伟达生产高带宽内存（HBM）芯片的基础裸片。

该工厂预计将于本月正式动工，且全部产能已获得订单，其中大部分订单来自AMD。

报道指出，该工厂将采用先进的2纳米制程技术，厂区面积约270万平方英尺，规模约为三星首座工厂的1.5倍。三星首座工厂已与特斯拉签订合同。

据悉，第二座工厂预计将于2029年2月开始安装设备，并于2030年启动量产。

三星电子对此婉拒置评。