据外媒报道，三星电子将采用台积电的3纳米制程，为英伟达下一代HBM制造基底裸片（base die）。

据《首尔经济日报》援引知情人士报道，英伟达希望供应商统一制造工艺以确保性能的一致性，已要求三星、SK海力士和美光的基底裸片采用台积电的3纳米工艺，核心裸片则同一采用第六代DRAM工艺（1c）。

报道指出，三星设备解决方案事业部经内部评估后，决定接受英伟达的要求。三星此次调整仅针对英伟达定制化的HBM4E产品，同时计划继续以自主生产模式生产标准HBM及面向其他客户的定制产品。还在评估若需求超出台积电产能，其自有代工厂是否可生产NVHBM基底裸片。