阔别5年的存储涨价潮在今年强势回归，DRAM与NAND全面暴涨。

去年10月三星的小容量 eMMC 产品率先显露涨价趋势，到今年4月闪迪发出NAND涨价函，打响2025存储涨价第一枪。

美光、三星、SK海力士三大巨头随后纷纷宣布涨价，多家存储模组厂因涨势强劲暂停报价。主流 DDR5 规格的 16Gb 颗粒价格在11月单月涨幅高达 102%，DDR4 16Gb 涨幅也超 92%。

此轮涨价被业内评为“超级存储周期”，涨势迅猛且持续时间相较于之前的周期要长很多。

在华邦电子产品总监朱迪看来，过去一两年里，存储周期的到来已先有预兆。从表面上看云端AI的爆发式增长吸走了大量存储产能，但背后隐形的还有存储巨头相继宣布退出DDR4/LPDDR4之后遗留下的巨大市场缺口。

“原来的‘3+2’格局中的三大家停止供应，市场上近乎缺失一半的产能，明年甚至可能仅剩零头。”朱迪表示，“仅靠剩下企业去填补产能缺口实际很难，这也是目前DDR4与DDR5价格出现倒挂的原因。”

朱迪认为由于大厂的退出，主流大容量存储与利基型（Specialty）存储如消费、工业、汽车类存储解耦成为两个市场。由此，DDR4/LPDDR4及以下也会成为一个独立的市场。

就目前的缺货情况而言，此轮周期的持续时间会超出预期，并且在AI的带领下，存储行业会呈现长期的景气度。

AI时代下的存储变革

云端大模型经过多年训练，其量化后的轻量模型在本地部署后的能力也较之前有了大幅的提升。随着AR眼镜、智能家居等设备的发展，端侧AI的算力也在随之增长，本地存储也有了新的需求。这与过去一套固定、单独运行的系统而言有着显著的差异。

朱迪指出，端侧存储的差异主要表现在几个方面：首先，带宽的增加。数据在存储与SoC之间的交换较过去增长很多，因而需要更高的带宽支持其吞吐量和延时需求。其次，功耗问题的控制。端侧设备大多靠电池供电，如何在满足高带宽的同时保持或降低功耗是难题。

总体而言，边缘或端侧的存储产品要满足中小容量、高带宽和低功耗三种需求。

边缘端设备分为多种类型，每种类型的产品对算力和存储的要求都不同。

据朱迪介绍，华邦电子聚焦利基型市场，其产品根据定位分为三大类。

首先是小容量的HYPERRAM。HYPERRAM契合256Mb以下的小容量特点，其带宽可媲美传统MCU外挂的SDRAM或者DDR1，适合用作端侧MCU外挂RAM。

其次是LPDDR4。LPDDR4具备低功耗，高带宽的特性，在边缘侧有着广泛的应用。朱迪表示，AI的到来，使得传统DDR3和DDR4的应用场景如今正演进到LPDDR4上，比如带AI功能的网络摄像机、扫地机器人、无人机等，这些设备需要比以往更高的带宽，因此对LPDDR4的需求已不止在手机上。

最后是华邦电子特色的客制化内存解决方案CUBE。CUBE可以理解为介于HBM与LPDDR之间的方案，也可以理解为缩小版的HBM，即带宽接近，存储容量不大，同样使用2.5D或3D堆叠封装工艺，以此打造差异化，更倾向于高性能的端侧场景使用。“CUBE的目标方向之一是替代SoC里的L3及L4缓存所使用的SRAM。”朱迪表示。

定制化方案，端侧的多元化需求

AI加速赋能各类终端智能设备，不断推高的算力与各种模型应用带来的数据量使得传统JEDEC标准规格的产品能力被逼近极限，因此在标准之外行业还需一定的定制化产品。云端有HBM，而华邦电子的CUBE瞄准的便是端侧。

朱迪认为，未来越来越多的下游应用端会需要定制化的存储方案。“如今很多品牌在满足市场需求之外也打造很多差异化的创新产品，虽然定制化需要前期投入和较长的开发周期，但对于开发一款新产品而言，很多企业愿意投入。”

目前较为热门的AR/VR眼镜等机器视觉相关产品是CUBE的主要应用场景，这类场景对带宽、功耗、体积有着很高的要求，同样也面临着“内存墙”的问题，CUBE的出现很好地填补了LPDDR与HBM之间的空白。

值得一提的是，华邦电子也注意到定制化往往需要较长的时间和较高的门槛，因此推出了“CUBE-Lite”产品，其容量、速度等规格相对固定。

据朱迪介绍，CUBE-Lite作为标准件，成本相对较低且可公用至众多产品，客户也可以根据自己需求自行设计基于CUBE-Lite的产品，合理把控产品上市时间。

“CUBE-Lite的项目虽然稍晚才推出，但我们认为CUBE-Lite的客户群将来会多一些，因为它的门槛不高，客户群会更广泛，应用场景也会更多。”朱迪说道。

聚焦利基市场，工艺与产能双突破

本轮存储涨价潮对传统消费电子形成明显冲击，2025 年第四季 DRAM 合约价格同比上涨逾 75%，且涨势持续，导致 2026 年手机、笔记本整机 BOM 成本预计再提升约 5 - 7%。受此影响，集邦咨询下修出货预测，智能手机年减 2%，笔记本电脑年减 2.4%。

有行业观点认为，本轮存储的超级周期主要来源AI引领的疯狂基建，与此前半导体下行周期的企业去库存行为形成了强烈的供需错配，如果撇开与AI相关的领域，市场实际是否有如此旺盛的需求还值得商榷。

对此，朱迪认为，除了受AI应用影响外，存储行业每年仍会有一定的自然增长。虽然存储价格较高，但目前消费电子产品的功能越来越复杂，相应地对存储的需求也会越来越高。

“对于整个市场的预期很难判断，多重因素叠加。比如在今年的国补背景下，黑白家电销量相当不错，但PC、手机和汽车可能没有太多的增长。”朱迪表示。

在华邦电子看来，一些AI相关的产品比如机器人、AI眼镜、玩具等，产业链的上下游企业都比较关注和投入；与此同时，黑白家电、智能家居以及可穿戴设备类产品则对营收有着实际的贡献，这类产品一方面销量增长，另一方面存储容量规格也在增加。

此外，朱迪特别提到今年eMMC的需求量很大，涨价幅度高，“我们观察到很多客户因为eMMC买不到、用不起，所以又转而开始使用高容量Flash，这样的情况屡见不鲜。”

为应对存储领域的旺盛需求，华邦电子一方面积极扩展产能，另一方面也在制程工艺上持续迭代。

目前，华邦电子拥有两座12英寸晶圆厂，其中中国台湾台中厂生产DRAM和Flash，月产能6万片，新建的高雄厂专产DRAM，月产能15000片。

朱迪介绍道，台中厂DRAM与Flash占比处于动态变化，今年SLC NAND Flash产品相对紧缺，工厂调配部分成熟制程的DRAM工艺来生产Flash产品。

华邦电子此前宣布投资近400亿新台币用于Flash与客制化内存解决方案（CMS）产线的扩产，朱迪指出，产能爬坡还需要一定的时间。

工艺方面，目前NOR Flash正从58nm向45nm演进，已经大批量生产，NAND Flash从32nm向24nm演进，今年24nm产品也开启量产；DRAM部分从25nm切换至20nm，并于近期推出先进16nm制程8Gb DDR4 DRAM。

“在短期内产能无法再增加的前提下，我们仍通过制程演进增加每片晶圆的产出，在单片晶圆上切割出更多的芯片，一定程度上缓解市场供应，并服务更多的客户。”朱迪说，“今年对华邦而言也是一个里程碑的时刻，我们的制程从‘二字头’进入‘一字头’，今年的第一颗16nm 8Gb DDR4已经有样品提供给客户，明年将会大批量生产。”