自SK海力士官网获悉，9月12日，SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4^*的开发，并在全球首次构建了量产体系，彰显了其在面向AI的存储器技术领域的领导地位。

据悉，这次全新构建量产体系的HBM4采用了较前一代产品翻倍的2048条数据传输通道（I/O），将带宽扩大一倍，同时能效也提升40%以上。凭借这一突破，该产品实现了全球最高水平的数据处理速度和能效。公司预测，将该产品引入客户系统后，AI服务性能最高可提升69%，这一创新不仅能从根本上解决数据瓶颈问题，还可显著降低数据中心电力成本。

与此同时，此次HBM4实现了高达10Gbps（每秒10千兆比特）以上的运行速度，这大幅超越JEDEC3标准规定的8Gbps（每秒8千兆比特）。

SK海力士在HBM4的开发过程中采用了产品稳定性方面获得市场认可的自主先进MR-MUF（批量回流模制底部填充）技术和第五代10纳米级（1b）DRAM工艺，最大程度地降低其量产过程中的风险。

SK海力士AI Infra担当金柱善社长（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“此次正式宣布全球率先构建量产体系的HBM4，不仅是突破AI基础设施极限的一个标志性转折点，更是可解决AI时代技术难题的核心产品。”又表示：“公司将及时供应AI时代所需的最高品质和多样化性能的存储器，致力成为‘全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）’。”

*高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）: 垂直连接多个DRAM，与现有的DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM（第一代）-HBM2（第二代）-HBM2E（第三代）-HBM3（第四代）-HBM3E（第五代）-HBM4（第六代）的顺序开发。