据西湖大学官网、科技日报消息，日前，西湖大学孔玮团队宣布实现了晶圆级单晶二硫化钼薄膜在柔性基底上的无损集成，将单晶二维半导体转移集成技术从“湿法”推进到“干法”路线，为突破长期制约高性能柔性电子发展的技术瓶颈提供了新路径。

氧化物干法转移二硫化钼流程示意图

据悉，研究团队开发出基于氧化物的“干法转移”策略，全程避免二硫化钼表面与聚合物、水或有机溶剂直接接触，有效保留材料本征特性，使其构建的4英寸晶圆级高密度柔性晶体管阵列实现多项性能突破，包括10¹²超高电流开关比、117cm²/V·s高水准迁移率、68.8mV/dec超低亚阈值摆幅。

研究团队由此构建了基于单晶二硫化钼的柔性逻辑反相器阵列。该器件做到了目前已知柔性薄膜电子系统中的最低功耗水平之一，且在实现极低功耗的同时，其增益性能比同类硅基材料，有机材料或碳纳米管等器件高出一倍以上。