近日，据韩媒Etnews报道，闪迪已经开始建立HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）样品生产线，目前正在与材料、零部件、设备企业展开合作，构建产业生态，计划下半年拿出样品。

业内人士透露：“闪迪正在与企业探讨合作，目标是在下半年引入HBF关键设备。”业界普遍预测，闪迪下半年将完成生产线建设，并在年底前启动运行，目标明年实现商业化。

另据The Bell援引消息人士指出，随着样品生产的正式启动，闪迪似乎将提前约六个月完成此前公布的HBF开发路线图。根据闪迪去年公布的HBF开发路线图，该公司原计划于今年下半年开始供应HBF样品，并推动基于HBF的AI设备样品在2027年面世。

HBF是高带宽闪存，其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品，其在提升带宽的同时显著增大容量，并且断电后仍能保存数据，因此被视为AI新型存储解决方案。