汽车电动化和智能化的推进，正在把功率半导体从单颗器件竞争推向系统方案竞争。近日，东芝半导体展示多款核心产品与完整参考设计方案，聚焦汽车电子、新能源应用、服务器电源等高增长赛道。

与以往侧重单点性能不同，东芝将半导体产品放入更具体的系统场景中呈现，重点覆盖汽车电子、电源管理、功率器件及相关参考设计。此次，一个清晰的判断贯穿东芝半导体产品展示始终：车载功率半导体不是用某一种技术覆盖所有场景，而是要按照系统目标提供组合化选择。从LV-MOS到D-IGBT、RC-IGBT、SiC MOSFET，再到驱动IC、隔离器件和车载通信产品，东芝希望强调的不是单点性能，而是围绕汽车系统形成的长期工程支撑能力。

东芝半导体相关技术人员向SEMI中国《半导体制造》记者介绍，东芝车规级RC-IGBT芯片产品规划涵盖750V和1200V耐压等级预计26年第四季度量产，主要目标是电动车发电模块。

RC-IGBT与SiC MOSFET：“把系统需求前移到芯片内部”

在驱动/发电芯片领域，东芝同时布局了750V D-IGBT、750V/1200V RC-IGBT以及750V/1200V SiC MOSFET。两条技术路线背后有一条共同逻辑：把系统需求前移到芯片内部解决。

RC-IGBT方面，传统方案需要将IGBT与续流二极管（FWD）作为两颗独立芯片配置，而东芝RC-IGBT将二者集成到单芯片中，使器件同时具备IGBT的正向导通能力和续流二极管的反向导通能力，有利于减少芯片面积、改善散热并支持逆变器小型化。1200V RC-IGBT可集成于86mmX72mm的小型封装，相关模块产品正朝着2027年量产方向推进。

SiC MOSFET方面，传统SiC MOSFET在反向导通时，其体二极管可能发生双极导通并引起晶体缺陷扩展，长期使用可能导致导通电阻上升。东芝采用“嵌入式SBD”方案——在MOSFET内部以棋盘格（check-pattern）方式布局嵌入式肖特基势垒二极管，让反向电流优先通过SBD路径，抑制体二极管的双极导通。这一设计使单极工作电流上限提升至传统条纹布局的两倍；X5M007E120芯片在25℃下RDS(ON)为7.2mΩ，175℃下为12.1mΩ，导通电阻从常温到高温的变化率有所改善；同时采用深势垒结构设计，在降低导通电阻的同时确保短路耐受性。该产品已通过AEC-Q100车规认证。

IGBT与SiC的共存逻辑：按平台定位匹配

在整车平台向800V高压化快速演进的背景下，东芝的判断是：未来几年IGBT与SiC将按平台定位长期共存。

选型逻辑很清晰——对于400V平台、成本敏感车型或中等功率场景（如PHEV/EREV的发电机逆变器），可优先评估IGBT/RC-IGBT方案，其优势在于成熟度、成本控制和工程适配性；对于800V高压平台、追求高效率和高功率密度的主驱应用，SiC MOSFET的优势更加明显，依靠低损耗、高频开关和高温特性满足更高要求。客户最终依据电压、效率、成本和热设计做系统级选择。

总之，从RC-IGBT的集成化设计到SiC MOSFET的嵌入式SBD，从多技术路线并行的产品矩阵到300mm晶圆产能扩张与行业整合，不只是芯片层面的技术创新，更是一套面向xEV市场的完整系统级打法。