据韩媒报道，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），核心芯片采用 1c（第六代 10nm 级）工艺，而底层芯片（Base die）将采用2nm工艺。

该计划是在保留第六代HBM4引入的1c工艺的同时，将更先进的2nm工艺应用于基础芯片。

报道称，对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM，基础芯片将采用三星晶圆代工的2nm工艺。