8月11日，源杰科技公告称，公司拟投资建设源杰半导体科技产业园项目，投资总额约42.68亿元(含土地出让金)。

项目拟在陕西省西咸新区沣西新城建设包含激光器芯片生产线、生产厂房及配套设施等产业化基地，旨在突破产能瓶颈，扩大高端激光器芯片生产规模。项目占地约126亩，建设周期预计为24个月。

目前该事项已通过公司董事会审议，尚需提交股东会审议，并需办理用地、备案、环评等前置审批手续。

项目建成后，将有助于公司把握市场增长机遇，满足客户在数据中心建设等领域持续提升的产品需求，增强订单交付的稳定性与响应速度。

公开资料显示，源杰科技室国内采用IDM垂直整合制造模式的光芯片企业，覆盖从芯片设计、外延生长到晶圆制造、封装测试的全产业链条。