三星电子表示，将把高数值孔径极紫外微影（High-NA EUV）导入1nm（A10）制程量产，预计最早于2030年开始。

三星电子晶圆代工工艺开发团队朴昌民表示，对于2nm的SF2和1.4nm的SF1.4两个近期节点来说，High NA EUV光刻图案化技术仍不算成熟。High-NA EUV将成为A10及后续节点的重要设备。

相较于0.33NA EUV，High-NA EUV具备更高数值孔径，可以缩小电路图形，以单次图案化完成制作，降低多重曝光带来的成本、复杂度等缺陷风险。

按照规划，三星目前已完成2nm制程商用化，规划在2029年量产1.4nm SF1.4制程，于2030年推进SF1.4+与1nm制程。