近期在上海举办的2025 PCIM Asia展会上，安森美 (onsemi) 在国内首次展示了其全新的12kW AI云计算电源模块，其采用M3S MOSFET与SiC JFET等先进器件，具备高开关频率与优异的热管理性能，适用于高负载AI运算环境。

AI数据中心是一个集中式设施，需要一个特殊的电源单元来为每个组件提供适当的输入电压，通过AC-DC转换、电池备份单元（BBU）、热插拔和中间总线转换器（IBC）、电源分配等关键阶段运行。安森美凭借其业界领先的Si和SiC技术，从变电站的高压交流/直流转换，到处理器级的精准电压调节，为下一代AI数据中心提供了从3kW到25-30kW HVDC的供电全环节高能效、高密度电源解决方案。特别是近期，安森美携手英伟达，共推下一代AI数据中心加速向800V直流供电方案转型，这种技术能力的广度和深度使安森美成为少数能以可扩展、可实际落地的设计满足现代AI基础设施严苛供电需求的公司之一。

效率优化在数据中心应用中尤为重要，安森美在这个领域有着很深厚的积累，无论是传统的SiC MOSFET器件，还是SiC Cascode JFET的加入，以及PowerTrench^® T10芯片，从80V, 40V, 25V, 不论是AC-DC还是DC-DC，安森美都拥有完整的解决方案，能够帮助客户达到更高的效率，显著降低数据中心的运营成本。

此外，安森美还展示了从40W辅助电源到12kW高功率PSU的完整参考设计，进一步体现其在数据中心电源全链路中的技术整合能力。该系列方案基于650V EliteSiC M3S及SiC ComboJFET等核心器件，有效应对AI驱动所带来的电力需求增长。

安森美通过一些在线分析工具，把误差控制在5%以内。这样就不需要进行不断的迭代和循环反复的测试。第一次把原型做出来的时候，就能够非常接近计算出来的结果。从而缩短从设计到制造的周期。

安森美SiC JFET产品市场经理Brandon Becker表示：“为应对AI与电动汽车市场对碳化硅器件需求的提升，安森美正加大晶圆产线投资，并布局新的SiC生产线，以扩展MOSFET与JFET等全系列产品供应。”

由于安森美已在车规级800V应用中具备技术基础，并已有很多积累，因此Brandon Becker认为，其800V架构在AI数据中心的推广将为公司带来新的市场机遇。同时，公司也关注高电压环境下的系统安全问题。

安森美的产品团队，无论是SiC MOSFET，还是SiC JFET，对于碳化硅专业知识的积累都已超过30年。包括从粉料到晶体的生长、切片，再到晶圆，还有从6英寸变为8英寸的晶圆改进，以及整个生产过程的在线测试所使用的都是最新的自动设备。安森美在所有领域中，对于新技术都一直在不断的进行准备和积累。

最后，Brandon Becker总结道：“安森美将持续在中国市场加大投入，增强研发与制造能力，致力于通过高价值电源解决方案，支持全球及中国客户在AI、工业与汽车等领域的发展，实现与客户的共同成长。”