1月29日消息，近日，SK启方半导体（SK Key Foundry）宣布推出第四代200V高压0.18微米（µm）BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺，已与国内外主要客户展开实质性的产品开发合作，计划年内实现量产。

SK启方半导体此次发布的新工艺，旨在应对电动汽车以及AI数据中心加速普及背景下，高电压、高效率功率半导体需求持续增长的市场环境。

据介绍，此次推出的第四代BCD工艺在功率效率和高温耐久性方面实现提升，用于衡量性能的特性导通电阻（Rsp）和击穿电压（BVDSS）等关键指标较前代工艺改善超20%。该工艺可根据不同工作电压提供低导通电阻（On-Resistance）器件，从而有效缩小芯片面积并降低功率损耗，提升整体工艺竞争力。

在应用层面，该工艺为采用BCD及高电压（HV）MOSFET的高电压、大电流电源管理集成电路（PMIC）提供了厚层绝缘膜（Thick IMD）选项，可在确保数字信号安全传输的同时，阻断不必要的高电压和噪声干扰。

此外，它还支持SRAM（静态随机存储器）、ROM（只读存储器）、MTP（多次可编程存储器）、OTP（一次可编程存储器）等嵌入式存储选项，并提供用于精密电机控制的霍尔传感器，以提升电路设计的灵活性和扩展性。

该工艺可应用于高电压电源管理与转换芯片、电机驱动器、LED驱动器、电源供给用栅极驱动器等多种产品的开发，并满足车用零部件可靠性评估标准“AEC-Q100 Grade 0”的要求。