7月17日，台积电董事长暨总裁魏哲家在法说会上表示，台积电美国第二厂已完成，将导入3nm制程生产，且鉴于客户对此制程需求迫切，正加速量产进度。美国第三座晶圆厂已开始建设，将采用2nm与A16技术，计划也将按照AI需求加快生产时程。第四座晶圆厂将运用2nm和A16技术，第五与第六座将采用更先进制程，这些晶圆厂的建设与量产时程将依客户需求调整。

魏哲家称，台积电的扩张计划将使台积电在亚利桑那拥有千瓦级晶圆产能集群，支持美国主要客户在智能手机、AI及高性能计算领域的需求。台积电还计划新增两座先进封装厂和一个研发中心，完备AI供应链。完工后，约30%的2nm及更先进制程产能将位于亚利桑那，形成美国境内独立的领先半导体制造集群。

其强调，台积电在中国台湾计划在未来数年内建设11座晶圆制造厂及4座先进封装设施。公司正准备在新竹与高雄基地分阶段推动2nm制程的厂房建设，以满足客户在结构性需求上的强劲增长。

谈及先进制程进度，魏哲家表示，目前N2和A16技术在满足对高效能运算方面处于业界领先地位。

其中，N2按计划于2025年下半年量产，同时推出N2系列延伸家族“N2P”，进一步提升性能和功耗，预期2026年下半年量产。A16的特色是结合超级电轨（SPR）技术，将于2026年下半年量产，适合具复杂讯号路径和密集电源传输网络的产品。

而A14将采用第二代纳米片晶体管结构，提供更优秀性能和功耗优势，以应对日益成长的高效能运算需求。据魏哲家透露，目前A14开发进度良好，零组件性能和良率改善均达到或超前计划，预计于2028年进行量产计划。