据《日经新闻》报道，业内消息称，三菱化学和日本制钢所（JSW）计划，到2027年扩充用于下一代功率半导体衬底的氮化镓（GaN）产能，较2026年提高50%。

据悉，三菱化学正与JSW合作研发功率半导体用GaN衬底，目前三菱化学/JSW 4英寸衬底仍处于客户验证阶段。随着需求增加，双方决定进一步扩增产能，且目标在2026年度开始提供6英寸、2028年度提供8英寸衬底样品。

三菱化学、JSW已在今年4月将基板、晶种（Seed Crystal）产能提高至2021年度的2倍，之后计划在2027年4月进一步扩增至2021年度的3倍（即和2026年相比增加5成）。