据九峰山实验室官微消息，近日，九峰山实验室化合物半导体中试平台-工艺平台深度联动国产原子层沉积（ALD）设备厂商，实现了ALD Mo工艺新突破——以稳定、高效的MoCl₂O₂原料为前驱体，在400℃下制备出高性能金属钼薄膜，这是国内首次基于8英寸平台实现该工艺的开发。

除自研工艺开发所具备的优势以外，该套工艺的核心亮点在于基于国产设备的协同开发，针对国产ALD设备的反应腔结构、气体传输系统等核心特性，精准优化工艺参数。

该工艺的成功开发，标志着国内首次在8英寸平台实现ALD Mo工艺的开发，且在关键指标上达到量产要求。在3D NAND制造中，高台阶覆盖率可完美适配垂直沟道结构，助力提升存储容量与读写速度。在7纳米及以下逻辑芯片中，低电阻率直接带来更低的RC延迟，运算速度提升、功耗降低。在DRAM（动态随机存取存储器）制造中，高均匀性和致密结构有助于提升器件稳定性与寿命。