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SK海力士推进“以钼代钨”

来源:综合报道    2026-06-12
核心技术突破在于使用钼材料替代传统钨材料制作字线。在同等微缩尺寸下,钼的电阻更低,能够有效加快数据读写速度,并省去辅助膜铺设,增强存储密度。

6月12日消息,据外媒报道,SK海力士已完成375层NAND闪存的生产验证,并正准备将其量产线转移至清州M15工厂。该产品计划在今年年底前正式量产。

此次核心技术突破,在于使用钼材料替代传统钨材料制作字线。在同等微缩尺寸下,钼的电阻更低,能够有效加快数据读写速度,并省去辅助膜铺设,增强存储密度。