3月22日，由SEMI与IEEE联合主办的集成电路科学技术大会（CSTIC）在上海召开，全球顶尖专家学者齐聚一堂，共同探讨集成电路领域的最新突破与未来趋势，聚焦先进制程、封装技术、AI芯片等前沿议题，为半导体产业发展注入强劲动力。
CSTIC执行联合主席、华虹半导体董事长兼总裁白鹏博士为大会主持。
会议主席、中国浙江大学俞滨教授在致辞中围绕后摩尔时代集成电路的多维创新展开分享，首先回顾了人类计算力的演进历程和摩尔定律驱动下CPU技术的迭代，指出随着AI算力需求的爆发式增长，行业催生“新摩尔定律”，推动芯片向万亿级晶体管方向发展，其关键实现路径包括新材料应用、3D晶体管技术（如FinFET、GAA、C-FET等）与3D异质集成。
他介绍了CSTIC 2026的概况：本次大会共收录543篇摘要，涵盖器件工程、光刻、先进封装、AI与IC制造等技术方向；投稿中61%来自产业界、39%来自高校与科研机构，演讲嘉宾来自全球138家领先企业、高校和研究院所，汇聚全球智慧破解产业难题，携手追求合作共赢。
SEMI 中国总裁冯莉在欢迎致辞中向长期以来支持CSTIC的合作伙伴表示最诚挚的感谢。CSTIC自2000年创办以来，始终秉承“聚焦产学研融合、赋能产业发展”的使命，已发展成为亚洲乃至全球规模最大、覆盖面最广的半导体技术盛会之一。本届大会与SEMICON China 2026同期举办，构建起技术交流与产业协同的高效平台，共铸万亿美金的半导体时代。
当前，全球半导体产业正经历历史性变革。在AI算力浪潮与数字化浪潮的双重驱动下，万亿美元市场规模有望于2026年底提前到来。中国已成为不可或缺的核心增长引擎：根据SEMI数据显示，作为全球最大的半导体市场之一，中国半导体晶圆厂产能正快速扩张，从2020年月产490万片晶圆，到2030年将增至1410万片，全球市场占比也将从20%提升至32%。中国在22–40nm主流工艺节点上优势明显，2026年在全球主流制程产能中占比将达到37%。
在半导体设备投入方面，2021年全球设备市场规模已突破千亿美元，预计2027年将超1560亿美元。中国大陆自2020年起成为全球最大的半导体设备市场，已连续六年保持首位，到2027年其全球占比预计将超过30%。
展望未来，受全球AI热潮推动，全球晶圆厂建设如火如荼：SEMI预测，到2028年，全球将新建108座晶圆厂，其中亚洲84座，中国占47座。这彰显了中国半导体产业的强劲韧性，也为产业协同带来了巨大机遇。
英国剑桥大学达尔文学院特邀研究员兼导师、IEEE EDS主席Arokia Nathan教授在致辞中对各位嘉宾前来参加CSTIC 2026表示欢迎。本届大会以“什么将塑造未来十年半导体格局”为主题，汇聚了来自学术界、产业界和研究机构的领军人物，共同分享电子器件、集成电路及制造技术领域的最新进展与深刻洞见。今年恰逢场效应晶体管概念提出一百周年，对电子器件学会意义重大，学会长期作为创新协作与知识交流的重要平台，在半导体技术发展中发挥关键作用。Arokia Nathan教授感谢组委会的辛勤付出与各界对学会的支持，鼓励与会者积极交流、深化合作，共同推动半导体领域持续创新。
大会现场颁发了由SEMI设立的最佳学生论文奖（Best Student Paper Award）和最佳年轻工程师论文奖（Best Young Engineer Paper Award），以及“SEMI 20 Under 40 Award”奖项。
获得最佳学生论文奖一至三等奖的分别是：宋冰睿（北京大学）；张东荷雨（清华大学）；甘表兴（复旦大学）。
获得最佳年轻工程师论文奖一至三等奖的分别是：张力飞（清华大学）；任彩云（北京玄戒技术有限公司）；张嘉轩（中微公司）。
为表彰杰出青年才俊，大会还颁发了“SEMI 20 Under 40 Award”奖项，获奖者分别是吕鹏飞（Lam Research）；谭晓宇（NAURA）；成悦兴（GHS）；曾思超（Applied Materials）。
D2S董事长兼CEO Aki Fujimura带来了主题演讲“Changing the Face of Silicon:Curvy Manufacturing will Lead to Curvy Design”。他回顾了半导体设计与制造的历史演进，指出过去受算力限制，芯片布线采用曼哈顿式技术，而如今随着算力不断突破，曲线掩模制造成为可能。演讲中提到，全曲线掩模不仅可实现规模化制造，还能显著提升工艺窗口、优化掩模均匀性。更关键的是，曲线制造进一步赋能曲线设计，使其能在设计端实现性能、功耗与面积的多重优化。Aki Fujimura强调，无论掩模制造还是晶圆制造，关键在于使用可制造的曲线形状，这样才能降低变异性，从而提高芯片的良率和性能。
英国剑桥大学达尔文学院特邀研究员兼导师Arokia Nathan教授在“Fundamentals of Thin-Film Transistors: From Structure to Applications”主题演讲中，系统回顾了薄膜晶体管（TFT）的发展历史、技术现状与应用前景。他分析了TFT的材料、工艺与器件特性，其关键材料包括非晶硅、金属氧化物、有机物等，与MOSFET在结构、工作模式上差异显著，适用于中低频率应用场景。在应用方面，TFT已广泛用于平板显示、影像传感、逻辑电路、传感器等领域。未来，TFT将向柔性、透明、可拉伸、生物集成方向演进，成为智能、自适应、互联系统发展的核心支撑。
长江存储首席科学家霍宗亮博士在现场分享了“Xtacking Architecture Assist Future Chip Innovation and Development”主题演讲。AI正推动存储市场进入“超级周期”，全球半导体产业在AI时代稳步增长，数据显示，2024年存储市场规模约1700亿美元，其中DRAM（包括HBM）占57%，NAND占40%。AI工作负载对SSD和NAND提出了更高带宽与容量需求，3D NAND面临存储密度提升和接口速度提升的挑战。他阐述了Xtacking架构创新与混合键合技术对未来存储创新的推动作用：该架构通过解耦与集成的模式，将外围电路与存储阵列分离后键合，突破了传统架构的物理限制，将成为未来半导体产业向3D集成演进的新路径。
华虹宏力副总裁杨继业带来了《深耕先进功率技术，智造绿色芯未来》主题演讲，全面介绍了公司在功率半导体领域的技术布局、制造能力与发展规划。在技术层面，杨继业重点展示了MOSFET和IGBT两大产品线的演进路径，在MOSFET方面，自研深槽超结工艺，实现全电压解决方案，持续缩小节距、降低导通电阻；在IGBT方面，创新推出Super-IGBT技术，结合超结与IGBT优势，大幅提升电流密度、降低损耗，可适配高频应用场景。在制造平台方面，华虹无锡12英寸产线是全球首条专注功率器件的12英寸代工线，二期产线已投产，聚焦高端功率器件与车规级工艺。未来，华虹宏力将依托“8+12英寸”双平台优势，聚焦微缩工艺、器件结构创新、特色工艺升级，并联合合作伙伴布局SiC、GaN第三代半导体技术，助力绿色低碳未来。
随着本届CSTIC大会开幕主题环节圆满落下帷幕，行业大咖的前沿分享为半导体领域的技术创新与产业发展勾勒出清晰路径，也让在场的听众感受到全球半导体产业向前迈进的强劲动力。
会议的举办离不开行业伙伴的鼎力支持。在此，特别感谢北方华创（NAURA）、FUJIFILM、Lam Research、Applied Materials、TEL、极测、Fosen、拓荆科技、HITACHI、安集科技、中微半导体（AMEC）等企业的赞助，以及联合主办方北京超弦存储器研究院（SAMT）、联合赞助商电子器件学会（Electron Devices Society）的协同助力。
思想的碰撞尚未停歇，为期三天的十大分会涵盖半导体技术的各个方面，重点关注制造与先进技术，围绕详细的制造工艺、器件设计、集成技术、材料与设备，以及新兴半导体技术、电路设计和硅材料应用等议题展开更多深度研讨与交流。大会现场还设立了论文海报分享专区，为参会者提供了直观、高效、互动性强的学术交流平台，促进不同领域、不同单位间的思想碰撞与合作对接。
随着CSTIC 2026及十大分会的持续深入，全球半导体产业正通过这种产学研的深度碰撞，共同勾勒出清晰的未来十年发展路径。