近日，SEMI发布《300mm晶圆厂2027年展望报告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出，由于内存市场复苏以及对高效能运算和汽车应用的强劲需求，全球用于前端设施的300mm晶圆厂设备支出预估在2025年首次突破1000亿美元，到2027年将达到1370亿美元的历史新高。

全球300mm晶圆厂设备投资预计将在2025年成长20%至1165亿美元，2026年将成长12%至1305亿美元，将在2027年创下历史新高。

SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示：“未来几年内300mm晶圆厂设备支出预估将呈现大幅成长，反映出市场确实需要这样的生产能力，以满足不同市场对电子产品的成长需求，以及人工智能创新带来的新一波应用浪潮。最新的SEMI报告也特别指出，政府增加半导体制造投资对于促进全球经济和安全的重要性。这股趋势预计将有助于缩小各个地区间的设备支出差距。”

区域展望

SEMI《300mm晶圆厂2027年展望报告》显示，在政府激励措施和芯片国产化政策的推动下，中国未来四年将保持每年300亿美元以上的投资规模，继续引领全球晶圆厂设备支出。

受惠于高效能运算 (HPC) 应用带动先进制程节点推进扩张和内存市场复苏，中国台湾地区和韩国的芯片供货商预期将提高相对应的设备投资。中国台湾地区的设备支出预计将从2024年的203亿美元增加到2027年的280亿美元，排名第二；而韩国则将从今年的195亿美元增加到2027年的263亿美元，排名第三。 

美洲地区的300mm晶圆厂设备投资预计将成长一倍，从2024年的120亿美元提高到2027年的247亿美元；而日本、欧洲和中东以及东南亚的支出预计将在2027年分别达到114亿美元、112亿美元和53亿美元。

领域展望

晶圆代工领域支出预计今年将下降4%来到566亿美元，部分原因是成熟节点（>10nm）投资预估将会放缓，为满足市场对生成式AI、汽车和智能边缘装置的需求，此领域在所有领域中仍保持最高的成长率，设备支出从2023年到2027年预计将带来7.6%年复合成长率 (CAGR) 达到791亿美元。

数据传输带宽对于AI服务器的运算效能至关重要，带动高带宽内存 (HBM) 强劲需求，导致memory技术的投资增加。memory在所有领域中排名第二，2023年到2027年的年复合成长率将达到20%。DRAM设备支出预计将在2027年提高到252亿美元，年复合成长率为17.4%；而3D NAND的投资预计将在2027年达到168亿美元，年复合成长率为29%。

预计到2027年，模拟 (Analog)、微型 (Micro)、光电 (Opto) 和分离 (Discrete) 器件领域的300mm晶圆厂设备投资将分别增加至55亿美元、43亿美元、23亿美元和16亿美元。

SEMI《300mm晶圆厂2027年展望报告》列出全球405座设施和生产线，包括预计将在未来四年内开始营运的75座设施。上一期报告的发布日期为2023年12月，本期刊载358项更新和26个新晶圆厂/生产线项目。  

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