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英诺赛科苏州8英寸硅基GaN产线规模量产

来源:大半导体产业网    2021-06-07
6月5日,总投资80亿元的英诺赛科苏州一期项目正式开启大规模量产。在该项目的量产暨研发楼奠基仪式上,英诺赛科介绍称,作为全球首家实现8英寸硅基氮化镓量产的苏州一期项目,总占地面积达213亩,项目全面达产后将实现78万片的年产能,利税将超过15亿元。

65日,总投资80亿元的英诺赛科苏州一期项目正式开启大规模量产。在该项目的量产暨研发楼奠基仪式上,英诺赛科介绍称,作为全球首家实现8英寸硅基氮化镓量产的苏州一期项目,总占地面积达213亩,项目全面达产后将实现78万片的年产能,利税将超过15亿元。


上海市政府副秘书长、市发改委主任、长三角一体化示范区执委会主任华源,长三角一体化示范区执委会副主任、江苏省发展改革委员会副主任唐晓东,苏州市人大常委会副主任沈国芳,吴江区委书记李铭等领导及大基金总裁丁文武,在英诺赛科董事长骆薇薇、总经理孙在亨的陪同下出席了量产仪式。

据介绍,英诺赛科苏州项目于20186月奠基,20198月完成主厂房封顶,20209月开始设备搬入,今年65日正式开启大规模量产。苏州项目的量产标志着英诺赛科正式步入高速发展阶段。

英诺赛科总经理孙在亨指出,半导体硅材料在经过70多年的开发后,已经接近其材料极限,而氮化镓则具备未来产业发展所需的特性。在过去两年中,基于氮化镓的市场应用取得了很多突破,开始在消费电子、工业、汽车等市场全方位地渗透,尤其在快充、激光雷达、手机、5G、新能源汽车、无线充电和数据中心等领域发挥出巨大的潜能。

我坚信基于氮化镓的应用将是半导体未来十年增长最快的领域。孙在亨强调,随着英诺赛科苏州工厂的成功量产,我们已经做好了全面准备去迎接氮化镓时代的到来。

丁文武在量产仪式上表示,英诺赛科量产暨研发楼奠基,是中国在化合物半导体领域的重要里程碑。中国化合物半导体产业正处于逐渐发展的阶段,需要产业链和社会各方的支持和协作,尤其在当前复杂的国际形势背景下,国内半导体产业在前所未有的市场机遇下更是面临严峻的发展形势,国内企业包括英诺赛科在内如何在这样的挑战下如何实现更好的发展是值得思考的问题。

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲表示,中国对碳达峰、碳中和的郑重承诺,建立以新能源为主体的新型电力系统使第三代半导体释放出巨大市场潜力和强大发展动力。英诺赛科8英寸硅基氮化镓的量产走在了世界的前列,但是国家化合物半导体,特别是第三代半导体的发展路途还很漫长,在功率半导体包括碳化硅、衬底等未来颠覆性技术与国际的差距仍然很大,研发体系和产业生态都有很大的问题。


应对产能需求快速增长的预期,英诺赛科当日还与中国银行就英诺赛科(苏州)“8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期第一阶段产能扩展建设项目”现场签约

资料显示,英诺赛科成立于201512月,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓技术的IDM公司,集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体,首家以8英寸生产线打造硅基氮化镓全产业链平台。201711月在珠海率先建成全球首条8英寸硅基氮化镓量产线,产品涵盖30V-650V功率半导体器件,IC及射频器件。

随着30V-650V硅基氮化镓系列芯片产品陆续量产,英诺赛科也成为世界上唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业,成为中国目前唯一一家提供氮化镓快充芯片的企业,公司“InnoGaN”氮化镓功率器件产品在20204季度出货已达数百万颗。据悉,其低压GaN产品已挤掉美国EPC公司成为国内一家激光雷达企业供应商,实现了国产替代。

GaN具备导通电阻小、损耗低以及能源转换效率高等优点,由GaN制成的充电器还可以做到较小的体积。据介绍,英诺赛科氮化镓功率器件,使充电器在集成AC-DC、无线充电发射以及复杂的逻辑控制电路的情况下,可将充电效率提升60%。所以,快充应用是英诺赛科在GaN市场的桥头堡。

由于更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。英诺赛科还成功开发出应用于数据中心的低压氮化镓电源管理芯片产品,可取代原有硅器件,大幅度提升系统效率,降低能耗及运营成本。今年公司拿到了IATF16949认证,获得进入汽车市场的通行证。

英诺赛科结合AIXTRON MOCVDG5+)和8英寸CMOS兼容晶圆制造线,解决了化合物半导体晶圆制造良率低、产能小、工艺不稳定的产业化技术瓶颈,成功实现了8英寸硅基氮化镓器件的大规模量产,已经申请国内外核心专利超过250项。基于此,据悉英诺赛科已与国内知名5G射频基站供应商进行战略合作,开发应用于5G 基站的硅基氮化镓射频芯片,计划2021年开始小批量生产,逐步实现5G 应用领域射频器件国产化。


在苏州生产线投产的当日,英诺赛科(苏州)半导体有限公司研发楼项目也举行了奠基仪式。将开建的研发楼建筑面积3.5万平方米,集办公、研发、餐厅三大功能于一体

英诺赛科着力打造从器件设计、驱动IC设计开发、材料制造、器件制备、后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台,力争成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、封装测试于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。英诺赛科被国家四部委(发改委、工信部、财政部、海关总署)列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业,是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目;同时,公司还承担了多个国家部委及省相关部门的重点研发项目。

英诺赛科计划苏州(全球8英寸最大产能)到今年年底实现产能6000/月 ,员工人数预计将达到1500人,专利数累计700件以上。目前,英诺赛科在快充市场拥有60多家客户,发货量达千万级;激光雷达客户5家以上,发货量达百万级;另外,还有5家数据中心客户和2家手机客户。

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