2026年前三季度公司营业收入继续保持高速增长,同比增长28.08%,达到103.26亿元。归母净利润较去年同期增长241.31%,达到41.34亿元。2026年前三季度公司研发支出32.22亿元,较去年同期增长约27.70%,研发支出占公司营业收入比例约为31.20%,远高于科创板上市公司的平均研发投入水平,公司目前同时推进六大类、超20款新设备的研发,新产品研发周期显著加快,只需两年或更短就可开发一款新产品。目前公司已覆盖了超过35%前道集成电路设备产品,未来五年,公司将通过自主开发与外延并购,覆盖60%以上的集成电路高端设备市场和70%以上的先进封装设备市场,成为半导体高端设备平台型公司。
"攀登勇者,直抵巅峰",中微公司将继续认真贯彻"科创企业五个十大",坚持三维立体发展战略,坚持有机生长和外延扩展相结合的基本策略,实现总能量和净能量最大化,确保公司高速、稳定、健康和安全的高质量发展,在规模、产品竞争力和客户满意度上尽早成为国际第一梯队的微观加工设备公司。
01 业绩再创新高 高速稳健增长
2026年1-9月营业收入103.26亿元,同比增长28.08%,较2025年同期增加22.64亿元。2025年公司人均年销售>450万元。
2026年1-9月归母净利润41.34亿元,同比增长 241.31%,较2025年同期增加29.23亿元。
2026年1-9月扣非后归母净利润16.23亿元,同比增长83.01%,较2025年同期增加7.36亿元。
截至2026年9月底,公司累计已有 9300+台反应台。在国内外220+条生产线全面实现量产和大规模重复性销售。
公司已开发出 54种 高端半导体设备,包括 26种 高能等离子体CCP及低能等离子体ICP刻蚀机设备,24种 各类薄膜设备,如各种MOCVD、PECVD、LPCVD、ALD、EPI设备和CMP及先进封装、光学量检测设备等。
刻蚀设备
· 覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用
· 国内少数能够全面覆盖存储器刻蚀应用中各类超高深宽比需求的设备公司
· 公司行业首创双反应台(Dual-Station)ICP刻蚀技术,已经达到0.2纳米的单原子水平,相当于一根头发丝直径的30万分之一
薄膜沉积设备
· 为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等十多款导体和介质薄膜设备已经顺利进入市场,设备性能完全达到国际领先水平
· EPI设备已顺利进入客户端增量产验证阶段
· 薄膜设备的覆盖率不断增加
MOCVD设备
· 氮化镓基MOCVD设备的 行业领先地位持续稳固
· 开发出碳化硅和氮化镓功率器件用MOCVD设备、Micro LED所需的蓝绿光和红黄光等四款新型MOCVD设备,并陆续推向市场
02 瞄准科技前沿 坚持自主创新
中微公司重视核心技术的创新,在开发、设计和制造设备的过程中,始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。
2026年1-9月研发投入:32.22亿元,同比增长27.70%。研发投入占公司营业收入约为31.20%,远高于科创板上市公司均值。累计申请专利3953项,其中发明专利3176项,发明专利占比80.34%。已获授权专利 2500 项,其中发明专利1984项。在研项目涵盖六大类、超过二十款新设备的开发。
公司研发新产品的速度显著加快,过去通常需要三到五年开发一款新设备,现在只需两年或更短时间就能开发出有竞争力的新设备,并顺利进入市场。
CCP等离子体刻蚀设备
·用于关键刻蚀工艺的介质刻蚀产品持续保持高速增长
·下一代90:1超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端进行验证
·公司已全面覆盖存储器刻蚀应用中各类超高深宽比需求
ICP等离子体刻蚀设备
·低温高深宽比ICP刻蚀设备Primo Nanova LUX-Cryo在客户的下一代产品的产线上 稳定量产
·下一代高精度ICP刻蚀设备的Primo Angnova在实验室开展多个客户的工艺验证,全面满足客户的刻蚀需求,并取得多个重复订单
·高选择比气相刻蚀设备Primo Domingo开展多个工艺验证,全面满足客户的刻蚀需求
·8英寸Primo TSV2G 200E和12英寸深硅刻蚀设备Primo TSV 2G在获得重复订单 持续推进包括方波技术,ALE技术和ALD技术 在ICP等离子体刻蚀设备上的应用研发
薄膜设备
·公司以行业领先的研发速度,在短时间内成功开发出十多种薄膜设备,包括LPCVD、ALD、EPI、PVD CuBS和PECVD等产品在先进存储和先进逻辑市场 新增付运量保持快速增长
·2025年薄膜设备营收同比大幅增长约 224.23%,成为公司业绩增长的重要新引擎,新签订单保持快速增长
·公司开发的具有自主知识产权及创新平台的EPI设备已经 进入先进制程客户验证阶段,部分先进工艺已 进入量产验证
泛半导体设备
·仅用18个月成功开发出OLED8.6代线大平板PECVD设备,达到客户生产线均匀性要求,并顺利进入大生产线认证,成功填补了国内在该领域的技术空白
·正在开发更多化合物半导体外延设备,已陆续付运至客户端 进行量产验证