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English Version |
时间:10月24日 09:00-17:30 |
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地点:南京古南都饭店,江南春南厅(江苏省南京市鼓楼区广州路208号) |
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重要通知: |
1. 本次论坛免费参加,名额有限,按照在登记顺序依次发送参会确认函; |
2. 论坛提供免费自助餐午餐,数量有限,现场先到先得; |
3. SEMI会员、SIIP China(SEMI产业创新投资平台)会员优先参加; |
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随着功率半导体器件在移动通讯、消费电子、新能源汽车、发电与配电领域发挥着越来越重要的作用,“中国智造”时代的来临给功率半导体行业带来新的发展机遇和增长动力。 |
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SEMI中国将在10月24日在南京古南都饭店举办“中国国际功率半导体论坛2017”。 本次会议拟在探讨新型功率器件、宽禁带半导体GaN、SiC器件技术趋势及应用,以及核心设备、材料供应现状及发展趋势。我们诚挚地邀请您参加本次论坛,期待与您相见! |
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主办方:SEMI |
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合作伙伴:华夏幸福 |
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居龙 |
庄伟东 |
Burkhard Slischka |
张文宾 |
刘国友 |
总裁 |
总经理 |
CEO |
大中华及东南亚销售副总裁 |
副总工程师 |
SEMI中国 |
南京银茂微电子制造 有限公司 |
ALLOS Semiconductors |
宜普电源转换公司 (EPC) |
株洲中车时代电气股份 有限公司 |
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会议议程 |
08:50-09:30 |
论坛注册 Registration |
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主持人 Moderator
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李博 Bruce Lee
江苏华功半导体有限公司,总裁 President, Jiangsu Sinopower Semiconductor Co., LTD |
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09:30-09:45 |
致欢迎词 Welcome Remark |
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09:45-10:25 |
开幕主题演讲 Opening Keynote Speech |
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全球半导体产业发展趋势与机遇
Global Semiconductor Industry Trend and Opportunities 居龙 Lung Chu SEMI中国,总裁 President, SEMI China |
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10:25-10:55
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用于电动汽车的碳化硅模块的未来需求
Future needs on SiC power modules for EV drive applications
庄伟东 Michael Zhuang 南京银茂微电子制造有限公司,总经理 General Manager, Nanjing SilverMicro Electronics |
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10:55-11:25
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The Right Strategy for Developing GaN Power Electronics
Burkhard Slischka CEO, ALLOS Semiconductors |
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11:25-11:55
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致广大而尽精微
Innovation Changes life
徐征 Johnson Xu
瑞能半导体有限公司,全球市场部,总监 Global Marketing Director, WeEn Semiconductors Co., Ltd |
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12:00-13:30 |
自助午餐 Buffet Luncheon |
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13:30-13:55
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氮化镓功率器件如何推动现实生活中各种全新应用的发展?
How gallium nitride power devices contribute to the development of our real-life applications?
张文宾 Roy Chang 宜普电源转换公司(EPC),大中华及东南亚销售副总裁 Vice President, EPC (United States) |
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13:55-14:20
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用于电源转换的氮化镓功率器件新纪元
New Era of GaN Power Electronics
Charles Bailley Senior Director, Asia, Sales, Mktg, & Apps, GaN Systems Inc. |
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主持人 Moderator
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庄伟东 Michael Zhuang 南京银茂微电子制造有限公司,总经理 General Manager, Nanjing SilverMicro Electronics |
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14:20-14:45
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用于电力电子的GaN材料进展
Recent Progress in GaN Power Devices: a Grower's View
程凯 Kai Cheng 晶湛半导体,首席执行官 CEO, Enkris Semiconductor |
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14:45-15:10
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碳化硅功率半导体外延生长技术进展
Advances in Epitaxial Growth of 4H-SiC for High Power Devices
冯淦 Gan Feng 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司,总经理 General Manager, Epiworld International Co., LTD |
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15:10-15:20 |
茶歇 Tea Break |
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15:20-15:45
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IGBT及其制造过程中若干问题的探讨
Consideration on Some Questions in IGBT and Its Production
刘国友 Guoyou Liu 株洲中车时代电气股份有限公司,副总工程师 Vice Chief Engineer, CRRC Zhuzhou Semiconductor |
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15:45-16:10
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Si基GaN增强型MIS/MOS-HEMTs制备技术 Manufacturing Technology for Normally-OFF GaN-on-Si MIS/MOS-HEMTs
黄森 Sen Huang 中国科学院微电子研究所,研究员 Professor, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences |
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16:10-16:35
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先进碳化硅MOSFET 产品技术发展与应用
SiC MOSFET Development and Application
李传英 Chwan Ying Lee 瀚薪科技,总经理 General Manager, Hestia-Power Incorporation |
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16:35-17:15
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闭幕演讲 Closing Keynote 智能汽车: 中国集成电路发展的契机与挑战 Smart Cars: Opportunities and Challenges of China IC Industry 黄宏嘉 Charles Huang 合肥晶合集成电路有限公司,资深副总经理 Senior Vice President, Nexchip Semiconductor Corporation |
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18:00-20:00 |
产业招待晚宴
Industry Reception Dinner
仅限受邀 By Invitation Only |
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会议报名 |
注: |
1. 本次论坛免费参加,名额有限,按照在登记顺序依次发送参会确认函; |
2. 论坛提供免费自助餐午餐,数量有限,现场先到先得; |
3. 10月24日行业晚宴仅限受邀。 |
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酒店房间预订 |
南京古南都饭店 |
协议价格:高级大床房:CNY 530每房每晚含1份早餐,高级双床房:CNY 598每房每晚含2份早餐 |
参会者如需预定房间,请在10月15日前在会议报名时写明住宿需求。 |
若有疑问,可联系Sophia Huang [email protected] 86-21-60278553 |
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交通提示:请点击此处 |
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本次论坛仅限两席赞助机会,详情请咨询: |
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