如果您不能正常浏览页面,请点击此处
English Version
时间:10月24日 09:00-17:30  
地点:南京古南都饭店,江南春南厅(江苏省南京市鼓楼区广州路208号)
 
 
重要通知:
1. 本次论坛免费参加,名额有限,按照在登记顺序依次发送参会确认函;
2. 论坛提供免费自助餐午餐,数量有限,现场先到先得;
3. SEMI会员、SIIP China(SEMI产业创新投资平台)会员优先参加;
 
随着功率半导体器件在移动通讯、消费电子、新能源汽车、发电与配电领域发挥着越来越重要的作用,“中国智造”时代的来临给功率半导体行业带来新的发展机遇和增长动力。
 
SEMI中国将在10月24日在南京古南都饭店举办“中国国际功率半导体论坛2017”。 本次会议拟在探讨新型功率器件、宽禁带半导体GaN、SiC器件技术趋势及应用,以及核心设备、材料供应现状及发展趋势。我们诚挚地邀请您参加本次论坛,期待与您相见!
 
主办方:SEMI
   
合作伙伴:华夏幸福
   
 
居龙 庄伟东 Burkhard Slischka 张文宾 刘国友
总裁 总经理 CEO 大中华及东南亚销售副总裁 副总工程师
SEMI中国 南京银茂微电子制造
有限公司
ALLOS Semiconductors 宜普电源转换公司
(EPC)
株洲中车时代电气股份
有限公司
 
会议议程
08:50-09:30 论坛注册
Registration
   
主持人
Moderator

李博 Bruce Lee
江苏华功半导体有限公司,总裁
President, Jiangsu Sinopower Semiconductor Co., LTD
   
09:30-09:45 致欢迎词
Welcome Remark
   
09:45-10:25 开幕主题演讲 Opening Keynote Speech
全球半导体产业发展趋势与机遇
Global Semiconductor Industry Trend and Opportunities

居龙 Lung Chu
SEMI中国,总裁
President, SEMI China
   
10:25-10:55
用于电动汽车的碳化硅模块的未来需求
Future needs on SiC power modules for EV drive applications

庄伟东 Michael Zhuang
南京银茂微电子制造有限公司,总经理
General Manager, Nanjing SilverMicro Electronics
   
10:55-11:25
The Right Strategy for Developing GaN Power Electronics
Burkhard Slischka
CEO, ALLOS Semiconductors
   
11:25-11:55
致广大而尽精微
Innovation Changes life

徐征 Johnson Xu
瑞能半导体有限公司,全球市场部,总监
Global Marketing Director, WeEn Semiconductors Co., Ltd
   
12:00-13:30 自助午餐
Buffet Luncheon
   
13:30-13:55
氮化镓功率器件如何推动现实生活中各种全新应用的发展?
How gallium nitride power devices contribute to the development of our real-life applications?

张文宾 Roy Chang
宜普电源转换公司(EPC),大中华及东南亚销售副总裁
Vice President, EPC (United States)
   
13:55-14:20
用于电源转换的氮化镓功率器件新纪元
New Era of GaN Power Electronics

Charles Bailley
Senior Director, Asia, Sales, Mktg, & Apps, GaN Systems Inc.
   
主持人
Moderator

庄伟东 Michael Zhuang
南京银茂微电子制造有限公司,总经理
General Manager, Nanjing SilverMicro Electronics
   
14:20-14:45
用于电力电子的GaN材料进展
Recent Progress in GaN Power Devices: a Grower's View

程凯 Kai Cheng
晶湛半导体,首席执行官
CEO, Enkris Semiconductor
   
14:45-15:10
碳化硅功率半导体外延生长技术进展
Advances in Epitaxial Growth of 4H-SiC for High Power Devices

冯淦 Gan Feng
瀚天天成电子科技(厦门)有限公司,总经理
General Manager, Epiworld International Co., LTD
   
15:10-15:20 茶歇
Tea Break
   
15:20-15:45
IGBT及其制造过程中若干问题的探讨
Consideration on Some Questions in IGBT and Its Production

刘国友 Guoyou Liu
株洲中车时代电气股份有限公司,副总工程师
Vice Chief Engineer, CRRC Zhuzhou Semiconductor
   
15:45-16:10
Si基GaN增强型MIS/MOS-HEMTs制备技术
Manufacturing Technology for Normally-OFF GaN-on-Si MIS/MOS-HEMTs

黄森 Sen Huang
中国科学院微电子研究所,研究员
Professor, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences
   
16:10-16:35
先进碳化硅MOSFET 产品技术发展与应用
SiC MOSFET Development and Application

李传英 Chwan Ying Lee
瀚薪科技,总经理
General Manager, Hestia-Power Incorporation
   
16:35-17:15
闭幕演讲    Closing Keynote
智能汽车: 中国集成电路发展的契机与挑战
Smart Cars: Opportunities and Challenges of China IC Industry

黄宏嘉 Charles Huang
合肥晶合集成电路有限公司,资深副总经理
Senior Vice President, Nexchip Semiconductor Corporation
   
18:00-20:00 产业招待晚宴
Industry Reception Dinner

仅限受邀
By Invitation Only
 
会议报名
注:
1. 本次论坛免费参加,名额有限,按照在登记顺序依次发送参会确认函;
2. 论坛提供免费自助餐午餐,数量有限,现场先到先得;
3. 10月24日行业晚宴仅限受邀。
 
酒店房间预订
南京古南都饭店
协议价格:高级大床房:CNY 530每房每晚含1份早餐,高级双床房:CNY 598每房每晚含2份早餐
参会者如需预定房间,请在10月15日前会议报名时写明住宿需求。
若有疑问,可联系Sophia Huang [email protected] 86-21-60278553
 
交通提示:请点击此处
 
本次论坛仅限两席赞助机会,详情请咨询:
戚发鑫 / Daniel Qi 黄晓依 / Sophia Huang
Tel: 021-6027.8576 Tel: 021.6027.8553
Email: [email protected] Email: [email protected]
 

感谢接收此邮件。如您想退订请点击此处
Click here to unsubscribe from this list only.
To unsubscribe from all SEMI email promotions, please email us at [email protected].

Copyright® 2017 SEMI. All rights reserved.

SEMI China is at 8th floor, 2nd Building, No. 1158, Zhang Dong Road, Shanghai, China, 201203
Tel: +86.21.6027.8500, Fax: +86.21.6027.8511, Web site: www.semichina.org