 |
李传英 Chwan Ying Lee 瀚薪科技，总经理 General Manager, Hestia-Power Incorporation |
| 个人简介 / Biography | |
| 李传英博士从事硅基半导体器件与设计技术达15年以上, 发表国际论文高达20篇以上，取得美国、中国与台湾专利多达30案60件以上。 目前是瀚薪科技股份有限公司的创办人及总经理，正带领瀚薪公司团队从事宽能隙半导体产品的技术开发与产品推广。从三年前推出全系列碳化硅二极管之后，于2017年正式推出650V与1200V系列的碳化硅MOS管产品，并将于2018年推出瀚薪公司所设计开发的JMOS (SiC DMOS with monolithically integrated Schottky Rectifiers)产品，未来将与不同的系统应用业者合作，扩大碳化硅半导体器件的应用市场，让宽能隙半导体能被更广泛使用。 | |
| 摘要 / Abstract | |
| 简述SiC 材料特性；SiC JBS 的关键组件设计；SiC MOSFET组件的设计、制作、测试以及信赖性测试的重要考虑点。最后并将能将SiC器件应用在那些系统做一个简单说明 。 | |
感谢接收此邮件。如您想退订请点击此处。
Click here to unsubscribe from this list only.
To unsubscribe from all SEMI email promotions, please email us at [email protected].
Copyright® 2017 SEMI. All rights reserved.
SEMI China is at 8th floor, 2nd Building, No. 1158, Zhang Dong Road, Shanghai, China, 201203
Tel: +86.21.6027.8500, Fax: +86.21.6027.8511, Web site: www.semichina.org