使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同类产品。虽然有各种重要的机会使用这项技术，但工业电机驱动正获得最大的兴趣和关注。

基于应用的需求，如应用的高频化或者客户对效率的极致追求，瑞能半导体除了传统的硅基器件，积极布局第三代半导体碳化硅。

科锐推出多款碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）器件，采用MMIC技术，具备研发部署大型雷达系统所需的小型化、高效率、高可靠性、以及优异的功率密度等特点。

Vishay推出小型可润湿侧翼DFN1110-3A封装新款双向对称两线ESD保护二极管VBUS05M2-HT5，具有超低电容和漏电流，可保护高速数据线免受瞬变电压信号的影响。

意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。

Vishay 推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET：SQJA81EP，可提高汽车应用功率密度和能效。

英飞凌科技股份公司推出车用650 V CoolSiC™混合分立器件，包含一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。

英飞凌科技股份公司推出车用650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。

科锐作为SiC MOSFET的开创者，坚定无畏的在这条充满荆棘但光明无限的道路上不断前行。科锐坚信可以通过SiC，开发出市面上最为强大和可靠的半导体。

Vishay 日前宣布，其流行的NTCALUG系列负温度系数（NTC）环形接线头热敏电阻推出100 %无铅（Pb）版，成为业内此类产品中完全符合RoHS无豁免标准的先进器件。