日本综合型机电企业三菱电机计划在今年9月前与竞争对手东芝、罗姆达成协议，整合三方旗下功率半导体业务。

Wolfspeed已向美国特拉华州联邦地区法院对纳微半导体提起专利侵权诉讼，纳微半导体对诉状中的指控予以反驳，称将积极捍卫自身权益并预计将在诉讼中胜诉。

据悉，三菱化学正与JSW合作研发功率半导体用GaN衬底，目前三菱化学/JSW 4英寸衬底仍处于客户验证阶段。

本次上市募集资金将主要用于：扩大晶圆及模块的生产能力、升级生产设备；推进新型碳化硅产品的研发与技术创新；拓展全球分销网络；以及补充日常营运资金。

未来，英飞凌将持续依托深厚的技术积累与成熟的应用经验，与产业伙伴紧密协作，不断拓展宽禁带技术的应用范畴，共同推动迈向更加高效与可持续的未来。

此次奠基的研发大楼将主要承担12英寸功率半导体芯片的研发和试制工作，配备先进的研发设施，旨在加速新产品开发和技术创新。

相较上代，新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约30%。

三星的首条8英寸氮化镓（GaN）晶圆生产线预计最快将于2026年二季度进入量产阶段，初期营收规模预计将低于1000亿韩元。

这款碳化硅MOSFET集成在车载充电器（OBC）和DC/DC转换器中，利用碳化硅材料低损耗、耐高温、耐高压的特性和优势，能够有效延长电动汽车的续航里程并缩短充电时间。

根据新签订的技术授权协议，台积电将向罗姆滨松工厂转移氮化镓制程技术，罗姆计划于2027年实现相关产品量产，重点满足AI服务器等领域的市场需求。