本文通过使用测试界的魔法棒——光隔离探头，破解SiC、GaN栅极动态测试难题。

XMC7K24CA、XLD5A24CA和XLD8A24CA，在SMC（DO-214AB）封装器件10/1000 μs条件下，和DO-218AB封装器件10/10 000 μs条件下，提供相当于常规TVS 7KW 峰值脉冲功率。

Vishay BCcomponents NTCC201E4使用银金属焊接层，支持铝线键合，可采用真空回流焊或甲酸/合成气体回流焊、SAC或SMP焊接以及纳米银膏烧结。

比亚迪半导体于近期全新推出1200V 1040A SiC功率模块，在不改变原有模块封装尺寸的基础上将模块功率大幅提升了近30%，主要应用于新能源汽车电机驱动控制器。

安森美提供领先的智能电源方案，其创新的VE TracTM Direct SiC和VE-TracTM B2 SiC方案采用稳定可靠的平面SiC技术。

IQE与 Lumentum 签署一项长期协议，为其提供支持 3D 传感、汽车激光雷达 (LiDAR) 和光网络应用的外延片。

NSD1624是纳芯微最新推出的非隔离高压半桥驱动芯片，驱动电流高达+4/-6A，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。

意法半导体先进的STripFET F8 技术的开关速度十分出色，低芯片电容可以最大限度地降低栅漏电荷等动态参数，提高系统能效。

安森美基于新一代半导体材料碳化硅的方案，有助于变革性地优化UPS设计，本文重点介绍安森美应用于UPS的SiC方案。

CISSOID和依思普林达成战略合作伙伴关系，将共同开展研发项目，使碳化硅功率器件的优良性能在电动汽车动力总成领域得以充分发挥。