云潼科技将在桂城建设华南总部，项目计划总投资10亿元，其中固定资产投资约5亿元，产线将配备洁净车间等高标准生产设施。

晶盛机电旗下浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线，实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发与100%国产化。

英飞凌与罗姆签署谅解备忘录，约定互为采用特定碳化硅（SiC）半导体产品的客户提供第二供应商支持。

华为公布两项专利，均用碳化硅做填料，提高电子设备的导热能力。

Wolfspeed 200 mm 碳化硅材料产品开启大规模商用，还同步推出可供即时认证的 200 mm 碳化硅外延片。

双方此次签署谅解备忘录是为了设计出能够优化48V-72V宽电压适配及逆变器控制方案的GaN电机驱动技术，从而为高端车型和共享出行场景提供紧凑、具有高度兼容性的核心组件。

此次重组计划的核心在于削减大部分无担保债务，并获得新的融资承诺，从而确保公司拥有充足的流动资金，以继续推动扩张战略。

双方将开展以下合作：针对SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作，以及运用合作成果扩大高品质稳定衬底供应的商业合作。

深蓝汽车与斯达半导体合资组建重庆安达半导体，于近日正式投产下线。

三期宜兴IGBT芯片产线预计将于年内达到设计产能，该项目为8英寸SiC晶圆。