8寸SiC MOSFET产线已经实现量产，产能已达到2,000片/月，相关产品已全面配套国内主流车企及Tier1厂商。

目标在2025年底前推出碳化硅MOSFET1200V工艺技术，并于2026年上半年启动碳化硅功率半导体代工业务。

英飞凌新款CoolGaN™ 100V晶体管系列凭借高能效和小尺寸优势，非常适用于区域控制和主DC-DC转换器、高性能辅助系统及D类音频放大器等应用场景。

云潼科技将在桂城建设华南总部，项目计划总投资10亿元，其中固定资产投资约5亿元，产线将配备洁净车间等高标准生产设施。

晶盛机电旗下浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线，实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发与100%国产化。

英飞凌与罗姆签署谅解备忘录，约定互为采用特定碳化硅（SiC）半导体产品的客户提供第二供应商支持。

华为公布两项专利，均用碳化硅做填料，提高电子设备的导热能力。

Wolfspeed 200 mm 碳化硅材料产品开启大规模商用，还同步推出可供即时认证的 200 mm 碳化硅外延片。

双方此次签署谅解备忘录是为了设计出能够优化48V-72V宽电压适配及逆变器控制方案的GaN电机驱动技术，从而为高端车型和共享出行场景提供紧凑、具有高度兼容性的核心组件。

此次重组计划的核心在于削减大部分无担保债务，并获得新的融资承诺，从而确保公司拥有充足的流动资金，以继续推动扩张战略。