本次上市募集资金将主要用于：扩大晶圆及模块的生产能力、升级生产设备；推进新型碳化硅产品的研发与技术创新；拓展全球分销网络；以及补充日常营运资金。

未来，英飞凌将持续依托深厚的技术积累与成熟的应用经验，与产业伙伴紧密协作，不断拓展宽禁带技术的应用范畴，共同推动迈向更加高效与可持续的未来。

此次奠基的研发大楼将主要承担12英寸功率半导体芯片的研发和试制工作，配备先进的研发设施，旨在加速新产品开发和技术创新。

相较上代，新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约30%。

三星的首条8英寸氮化镓（GaN）晶圆生产线预计最快将于2026年二季度进入量产阶段，初期营收规模预计将低于1000亿韩元。

这款碳化硅MOSFET集成在车载充电器（OBC）和DC/DC转换器中，利用碳化硅材料低损耗、耐高温、耐高压的特性和优势，能够有效延长电动汽车的续航里程并缩短充电时间。

根据新签订的技术授权协议，台积电将向罗姆滨松工厂转移氮化镓制程技术，罗姆计划于2027年实现相关产品量产，重点满足AI服务器等领域的市场需求。

露笑科技旗下合肥露笑半导体材料有限公司在半绝缘型碳化硅领域取得关键性进展，首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺开发测试。

SK启方半导体此次发布的新工艺，旨在应对电动汽车以及AI数据中心加速普及背景下，高电压、高效率功率半导体需求持续增长的市场环境。

通过此次授权，世界先进扩展其硅衬底氮化镓 (GaN-on-Si) 工艺制程至高压应用领域，形成完整的GaN-on-Si平台。