碳化硅在下一代工业电机驱动器中的作用

碳化硅在下一代工业电机驱动器中的作用

  2021-04-27  
使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同类产品。虽然有各种重要的机会使用这项技术,但工业电机驱动正获得最大的兴趣和关注。
碳化硅的发展还要翻过“可靠性”这座大山

碳化硅的发展还要翻过“可靠性”这座大山

  2021-04-21  
基于应用的需求,如应用的高频化或者客户对效率的极致追求,瑞能半导体除了传统的硅基器件,积极布局第三代半导体碳化硅。
科锐推出多款碳化硅基氮化镓器件,助力大型雷达加速发展

科锐推出多款碳化硅基氮化镓器件,助力大型雷达加速发展

  2021-04-19  
科锐推出多款碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)器件,采用MMIC技术,具备研发部署大型雷达系统所需的小型化、高效率、高可靠性、以及优异的功率密度等特点。
Vishay推出具有超低电容的两线ESD保护二极管

Vishay推出具有超低电容的两线ESD保护二极管

  2021-04-19  
Vishay推出小型可润湿侧翼DFN1110-3A封装新款双向对称两线ESD保护二极管VBUS05M2-HT5,具有超低电容和漏电流,可保护高速数据线免受瞬变电压信号的影响。
意法半导体推出新款MasterGaN4器件,实现高达200瓦的高能效功率变换

意法半导体推出新款MasterGaN4器件,实现高达200瓦的高能效功率变换

  2021-04-15  
意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。
Vishay推出全球领先的汽车级80 V P沟道MOSFET

Vishay推出全球领先的汽车级80 V P沟道MOSFET

  2021-04-08  
Vishay 推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET:SQJA81EP,可提高汽车应用功率密度和能效。
新型车用650 V CoolSiC™混合分立器件助力快速开关车载充电器应用实现性能提升

新型车用650 V CoolSiC™混合分立器件助力快速开关车载充电器应用实现性能提升

  2021-03-31  
英飞凌科技股份公司推出车用650 V CoolSiC™混合分立器件,包含一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管,能够提升性价比并带来高可靠性。
新型车用650 V CoolSiC™混合分立器件助力快速开关车载充电器应用实现性能提升

新型车用650 V CoolSiC™混合分立器件助力快速开关车载充电器应用实现性能提升

  2021-03-24  
英飞凌科技股份公司推出车用650 V CoolSiC™混合分立器件,该器件包含一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管,能够提升性价比并带来高可靠性。
赋能未来,勇往直前——科锐联合创始人发表SiC MOSFET十周年文章

赋能未来,勇往直前——科锐联合创始人发表SiC MOSFET十周年文章

  2021-03-24  
科锐作为SiC MOSFET的开创者,坚定无畏的在这条充满荆棘但光明无限的道路上不断前行。科锐坚信可以通过SiC,开发出市面上最为强大和可靠的半导体。
Vishay推出100 %无铅(Pb)版NTCALUG系列NTC Lug头热敏电阻

Vishay推出100 %无铅(Pb)版NTCALUG系列NTC Lug头热敏电阻

  2021-03-09   Vishay,热敏电阻
Vishay 日前宣布,其流行的NTCALUG系列负温度系数(NTC)环形接线头热敏电阻推出100 %无铅(Pb)版,成为业内此类产品中完全符合RoHS无豁免标准的先进器件。
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