1月18日，基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。

欢迎您与氮化镓（GaN）技术专家一起在CES的EPC虚拟展台中，探索基于更高效、更小尺寸和更低成本的氮化镓场效应晶体管和集成电路的解决方案，如何增强消费电子产品的功能和性能。

科锐推出Wolfspeed WolfPACK™ 功率模块，扩展其解决方案范围，并为各种工业电源的性能开启新时代。新型Wolfspeed WolfPACK™模块系列将助力高增长的中功率技术的快速量产。

Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽车应用功率密度和能效。

为了提高充电速度，OBC功率水平已从3.6kW增加到了22kW，但与此同时，OBC必须安装在现有机械外壳内并且必须始终随车携带，以免影响行驶里程。

面向高功率密度且低成本的DC/DC转换，EPC9151功率模块利用EPC2152 ePower™功率级实现性能更高和尺寸更小的解决方案。

器件适用于小信号探测，符合AEC-Q101标准,不透明封装信噪比优异，几乎无段间公差。

为了迎合发展迅速的汽车电动化转型，日本企业东芝及富士电机将共同投资2000亿日元（约19亿美元），以提高电动汽车的节能芯片的产量。

使用GaN则可以更快地处理电源电子器件并更有效地为越来越多的高压应用提供功率。

该系列为变速驱动应用中的三相交流电动机和永磁电动机提供了一种紧凑的变频解决方案，具有出色的导热性能和广泛的开关速度。