5月27日消息，日前，株洲中车董事长李东林在科创板细分行业集体业绩说明会之先进轨道交通行业专场上透露了公司在碳化硅（SiC）产业的最新进展。

株洲中车正加快8英寸碳化硅产线建设，其中三期8英寸SiC晶圆项目已于2024年11月启动，计划2025年5月完成主体厂房封顶，2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉通。公司现有的6英寸SiC芯片生产线年产2.5万片，已具备成熟产能。

当前株洲中车SiC第三代精细平面栅产品已定型，技术水平行业主流；第四代沟槽栅设计定型，达行业先进水平，并且对第五代SiC技术完成布局。重点产品涵盖650V至6500V电压等级的SiC MOSFET，以及1200V SBD（肖特基二极管）。其中，1200V SBD已在光伏领域实现批量出货。

面向新能源汽车主驱控制器，公司于2022年底正式发布了其C-Power 220s平台，这是国内首款基于自主碳化硅研制的大功率电驱产品，系统效率最高可达94%，目前已进入整车厂验证阶段，预计2025年有望实现主驱批量出货。