EPC9149的尺寸是根据DOSA标准的1/8砖型，仅为58.4 mm x 22.9 mm。输出功率是1 kW时，EPC9149比基于硅器件的解决方案要小得多，后者的尺寸通常是1/4砖或大两倍。不带散热器的转换器的总厚度仅为10 mm。

凭借EPC公司的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）技术，才可以实现1226 W / in3的高功率密度。eGaN FET具有高开关频率，这个板子的频率是1 MHz且微型，其尺寸仅为采用相同导通电阻的硅MOSFET的板子的1/3。EPC9149采用4个用于一次侧同步整流、额定电压为100 V的 EPC2218 ，以及采用8个用于二次侧同步整流、40 V的 EPC2024器件。该板还采用尺寸为4 mm x 4 mm 的Microchip dsPIC33CKMP102T-I/M6控制器, 可实现高灵活性、进行配置、通信和编程，从而充分发挥氮化镓场效应晶体管的性能。

EPC9149演示板可以在36 V至60 V的输入电压下工作，并输出高达83.3 A的负载电流。 输入电压在48V至12V时的峰值效率为98％，在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97％。在最大负载和400 LFM气流下，最高稳态工作温度为88°C，最高结温为95°C。

EPC首席执行官Alex Lidow表示：“eGaN FET和集成电路提高了48 V/12 V转换器的功率密度，并满足了数据中心对于小尺寸、更高功率的应用需求。Microchip数字控制器使得EPC9149演示板可灵活地进行编程和配置。”

EPC9149发货时随附主板以简化测试。