6日14日消息,英飞凌已完成位于马来西亚居林的200mm碳化硅(SiC)功率晶圆厂的第一阶段建设。
英飞凌计划于8月正式启用居林3号晶圆厂模块,SiC生产将于2024年底开始。
居林3号晶圆厂紧邻其另外两个200 mm硅晶圆厂,预计创造900个工作岗位,该晶圆厂是马来西亚政府为提高该国芯片产量而制定的1000亿美元计划的核心。
根据计划,到本十年末,居林和菲拉赫两个基地的生产将占据SiC功率市场30%的份额,届时SiC市场的价值将达到200亿欧元左右。
6日14日消息,英飞凌已完成位于马来西亚居林的200mm碳化硅(SiC)功率晶圆厂的第一阶段建设。
英飞凌计划于8月正式启用居林3号晶圆厂模块,SiC生产将于2024年底开始。
居林3号晶圆厂紧邻其另外两个200 mm硅晶圆厂,预计创造900个工作岗位,该晶圆厂是马来西亚政府为提高该国芯片产量而制定的1000亿美元计划的核心。
根据计划,到本十年末,居林和菲拉赫两个基地的生产将占据SiC功率市场30%的份额,届时SiC市场的价值将达到200亿欧元左右。