3月29日上午，无锡利普思半导体有限公司扬州生产基地正式开工建设。

据了解，此次利普思新建的扬州利普思第三代车规级功率半导体模块项目，一期规划总投资1.8亿元，占地32亩，建筑面积约3.1万平方米，主要包括办公大楼、研发及测试中心、可靠性实验室、封装测试工厂。

项目规划总产能年产300万只IGBT/SiC模块，其中一期将新建车规级SiC模块封装测试产线2条，预计今年底竣工，2027年3月正式投产，届时可实现年产150万只功率模块。

为此，利普思将引进100余台套进口及国产设备，包括全自动银烧结机、真空焊接机、全自动端子机、全自动贴片机、印刷机、涂覆机、端子焊等，同时还将导入MES追溯系统，对产品进行全周期生命管理，以实现生产线的自动化、数字化、信息化。