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功率及化合物半导体论坛
日期: 2017年3月15-16日 
地点: 上海浦东嘉里大酒店,浦东大宴会厅4
地址: 上海市浦东新区花木路1388号
现场提供中英文同声传译
重要通知:此会议为两天会议,注册时选择任意一天的会议即可参加两天的全部议程。
从以硅为代表的第一代半导体开始,到以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体,再到以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)宽禁带材料为代表的第三代半导体,功率及化合物半导体对人类社会和科技影响越来越巨大,应用涵盖半导体照明、激光、显示、移动通讯、消费电子、绿色能源、现代交通等方方面面。

为响应产业需求,SEMI中国整合旗下资源,将于SEMICON China 2017 重磅推出“功率及化合物半导体论坛”,内容涵盖“LED及光电”、“宽禁带电力电子”、“化合物半导体及通讯”及“新型功率器件”四个主题版块。
 

 
 

 
         
 

 
 
 
 
功率及化合物半导体论坛2017(部分演讲嘉宾)
王敏 叶念慈 Dr. Markus Behet LEBLANC Remy Edward Preisler
晶能光电 三安集成电路 EpiGaN OMMIC Towerjazz
 
Day1-2017年3月15日

Session1: LED及光电(原LED China 论坛)
08:30-09:15 注册
主持人: Daniel Tracy
Senior Director of IRS, SEMI
09:15-09:20 欢迎致辞
09:20-09:50 主旨演讲
  硅衬底LED产业链现状和发展方向
王敏
晶能光电首席执行官
09:50-10:15 从制造角度看氮化镓激光
Christian Schmid
欧司朗光电半导体,前端技术项目经理
10:15-10:40 次世代显示技术PixeLED的发展
李允立
錼創科技,首席执行官
10:40-11:05 用于PSS AOI的光学镜头的设计及评估
马铁中
昂坤视觉(北京)科技有限公司,首席执行官
11:05-11:30 深紫外LED氮化铝衬底单晶生长技术最新进展及未来面临的挑战
吴亮
协鑫,首席工程师
11:30-12:00 高效率氮化物LED芯片市场及技术发展趋势
王江波
华灿光电股份有限公司,副总裁
12:00-13:30 休息
   
Session2:宽禁带半导体电力电子
主持人: 肖国伟
SEMI中国LED顾问委员会Co-Chair,广东晶科电子股份有限公司,CEO
13:30-14:00 硅基氮化镓-一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术
Dr. Markus Behet
Chief Marketing Officer, EpiGaN
14:00-14:30 用于高效电力电子半导体器件的GaN和SiC外延生产技术的进一步发展
Dr. Frank Wischmeyer
德国爱思强股份有限公司,电力电子器件副总裁
14:30-15:00 对宽禁带功率器件的期望
Masakatsu Hoshi
日产汽车,高级工程师
15:00-15:30 高密度ICP刻蚀机在新型功率器件制造中的应用
杨盟
北京北方华创微电子装备有限公司,刻蚀事业部副总经理
15:30-16:00 华功半导体GaN功率电子器件的产业化进程
刘扬
江苏华功半导体有限公司技术副总裁
16:00-16:30 单片MOCVD技术发展推动功率&微波电子器件的商业化
Somit Joshi
Sr. Director of Marketing in Veeco
16:30-17:00 用于下一代电源转换的GaN E-HEMT
Charles Bailley
Senior Director, Asia, Sales, Mktg, & Apps, GaN Systems Inc.
   
Day2-2017年3月16日

Session3: 化合物半导体及通讯
主持人: 张乃千
苏州能讯高能半导体有限公司,总裁
09:25-09:30 欢迎致辞
居龙
SEMI中国区总裁、SEMI全球副总裁
09:30-09:55 无线通讯用六寸氮化镓HEMT量产技术
叶念慈
三安集成电路,氮化镓技术开发处副总监
09:55-10:20 应用于移动通讯的高效高可靠氮化镓射频器件开发
裴轶
能讯高能半导体,器件技术总监
10:20-10:45 稳懋半导体0.45/0.25 微米氮化鎵高速电子元件之发展
林正国
稳懋半导体股份有限公司,总监
10:45-11:10 用于优化砷化镓、氮化镓器件的外延生长分析技术
Tom Thieme
Director Marketing and Sales, LayTec AG
11:10-11:35 SiGe BiCMOS工艺技术的无线应用
Edward Preisler
Towerjazz
11:35-12:00 A Multipurpose Millimeter Wave High Power and Low Noise GaN/Si Process for High Frequency Transmit-Receive MMICs
LEBLANC Remy
Director, Product Development, OMMIC
12:00-13:30 休息
13:30-14:00 氮化镓和相关材料的射频和电力电子应用
Wayne Johnson
Vice President & Head of Power Business Unit, IQE
   
Session4:新型功率器件
主持人: 杨继业
华虹宏力集成一部总监
14:00-14:30 高功率应用对器件和封装技术的要求
Arnost Kopta
Head of BiMOS R&D, ABB Switzerland Ltd, Semiconductors
14:30-15:00 碳化硅功率器件的发展和大规模生产的现状
金泽博
昭和电工
15:00-15:30 功率器件的未来和半导体制造设备的启示
Durga Chaturvedula
Managing Director, 200mm Product Mgmt. & Technology, Applied Materials
15:30-16:00 电力系统电力电子器件需求、现状及发展趋势
邱宇峰
全球能源互联网研究院,副院长
16:00-16:30 硅、碳化硅和氮化镓功率器件的薄膜工艺
Hans Auer
Senior Product Marketing Manager, Evatec
16:30-17:00 闭幕演讲
新型结构晶体管及新一代功率芯片的研究
王鹏飞
东微半导体,首席技术官
   
两天会议注册费:
类型 提前注册并付费(2月20日之前) 注册费(2月20日之后)及现场付费
听众 RMB 1,000/位 RMB 1,500/位
讲师 Free Free
*注册费不含午餐
*议程变化恕不另行通知
 
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戚发鑫
首席分析师 | 产业研究与咨询部
项目总监 | 功率及化合物半导体产业
电话: 86-21-60278576
Email: [email protected]
 
黄晓依
项目专员
电话: 86-21-60278553
邮箱: [email protected]
 

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