| 2019年7月17日 周三 |
| 09:00-20:00 |
会议报道及现场注册 |
| 14:00-16:30 |
宽禁带半导体技术与产业发展高峰对话 |
| 16:30-17:30 |
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟会员大会 |
| 2019年7月18日 周四 |
| 主会场 |
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| 09:00-09:30 |
开幕式 |
| 09:30-10:05 |
宽禁带半导体材料及器件的研究进展以及APCSCRM国际会议对其将产生的影响 |
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Gourab Majumdar，日本三菱电机公司首席科学家 |
| 10:05-10:25 |
茶歇 |
| 10:25-11:00 |
SiC和GaN功率器件的设计，商业化和应用 |
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张清纯，Alpha and Omega Semiconductors教授 |
| 11:00-11:35 |
全球半导体产业的新变局新形势 |
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居龙，SEMI中国区总裁 |
| 11:35-11:45 |
大幅提升产量并减少材料浪费 |
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Microdiamant AG |
| 11:45-11:55 |
关于宽禁带半导体材料表征的计量解决方案 |
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Semilab |
| 11:55-12:05 |
下一代宽禁带功率半导体外延生产技术 |
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Aixtron SE |
| 12:05-13:30 |
午餐 |
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| 分会场-1 |
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| 13:30-13:55 |
氧化镓外延薄膜生长与日盲紫外光电探测器件 |
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唐为华，北京邮电大学教授 |
| 13:55-14:20 |
碳化硅单晶生长研究及产业化进展 |
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刘春俊，北京天科合达半导体股份有限公司研究员 |
| 14:20-14:45 |
电力器件用SiC外延片的发展及量产现状 |
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Hiroshi Kanazawa，昭和電工设备解决方案部部长 |
| 14:45-15:05 |
宽禁带半导体电力电子材料到系统的投资机遇和挑战 |
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周贞宏 |
| 15:05-15:25 |
PVT方法生长碳化硅晶体中位错密度模拟 |
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陈启生 |
| 15:25-15:40 |
茶歇 |
| 15:40-16:05 |
氮化镓单晶材料的生长研究与应用进展 |
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徐科，苏州纳维科技有限公司教授 |
| 16:05-16:30 |
4H-SiC晶片划痕及其对外延生长的影响 |
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孙国胜，中国科学院半导体研究所教授 |
| 16:30-16:55 |
高品质4H-SiC晶体生长的改进工艺参数 |
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Won-Jae Lee，东义大学先进材料工程系教授 |
| 16:55-17:15 |
50mm厚6英寸4H-SiC晶体生产工艺、热处理减少缺陷及其表征 |
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P.S.Raghavan |
| 17:15-17:35 |
使用DLTS设备利用十字交叉采样的方法研究4H-SiC外延片的深能级分布 |
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何亚伟 |
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| 分会场-2 |
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| 13:30-13:55 |
利用SiC晶体中的单光子源的室温电子可控量子器件 |
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土方泰斗，琦玉大学教授 |
| 13:55-14:20 |
碳化硅离子注入技术 |
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新井学，新日本无线功率器件开发部经理 |
| 14:20-14:45 |
氮化镓肖特基接触用氮化镍电极的合成 |
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敖金平，德岛大学教授 |
| 14:45-15:05 |
SiC MOS器件近界面氧化物陷阱、性能和稳定性控制技术的研究进展 |
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王德君 |
| 15:05-15:25 |
高温氧化法抑制6.5kV pn二极管正向电压退化 |
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卜渊 |
| 15:25-15:40 |
茶歇 |
| 15:40-16:05 |
金刚石半导体的新进展 |
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王宏兴，西安交通大学教授 |
| 16:05-16:30 |
SiC功率器件宇航应用及辐射效应研究 |
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高博，西安微电子技术研究所高级工程师 |
| 16:30-16:55 |
SiC MOSFET器件技术方面的最新研究进展 |
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黄润华，南京电子器件研究所研究员 |
| 16:55-17:15 |
过渡区结构对SiC MOSFET导通电阻的影响 |
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刘少煜 |
| 17:15-17:35 |
用于4H-SiC MOS器件的Al(ON)栅介质 |
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夏经华 |
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| 分会场-3 |
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| 13:30-13:55 |
对于车载电气化用SiC MOSFET逆变器的系统思考 |
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蔡蔚，精进电动教授 |
| 13:55-14:20 |
第三代半导体在新能源汽车领域应用技术路线和发展前景 |
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原诚寅，北京新能源汽车技术创新中心有限公司|教授级高工 |
| 14:20-14:45 |
轨道交通用3300V碳化硅器件和模块 |
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李诚瞻，株洲中车时代电气股份有限公司|博士 |
| 14:45-15:05 |
重离子引入内在缺陷对SiC结势垒肖特基二极管可靠性影响研究 |
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于庆奎 |
| 15:05-15:25 |
Si/SiC异质结IMPATT和MITATT二极管小信号及噪声性能的模拟 |
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韦文生 |
| 15:25-15:40 |
茶歇 |
| 15:40-16:05 |
室温硅片键合制备SiC压力传感器的可行性研究 |
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母凤文, 早稻田大学讲师 |
| 16:05-16:30 |
SiC器件在新能源产品中的应用 |
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谢峰，深圳市禾望电气股份有限公司|高级工程师 |
| 16:30-16:55 |
值得信赖的技术革命——英飞凌碳化硅技术及产品介绍 |
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李国虓，英飞凌工业市场经理 |
| 16:55-17:15 |
脉冲紫外激光辐照对4H-SiC MOS电容电学性质的影响 |
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罗志鹏 |
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| 分会场-4 |
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| 13:30-13:55 |
SEMI标准介绍 |
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金燕，SEMI中国高级标准专员 |
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PPT下载 |
| 13:55-14:20 |
宽禁带半导体材料的标准化 |
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贺东江，半材标委会理事长 |
| 14:20-14:45 |
中关村标准战略 |
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王钧，中关村标准化协会执行副理事长 |
| 14:45-15:05 |
SEMI标准及EHS对半导体行业的影响 |
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Supika Mashiro，东京电子股份有限公司专家 |
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| 15:05-15:20 |
茶歇 |
| 15:20-15:45 |
MO源安全制造及使用 |
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陈化冰，江苏南大光电股份有限公司副总裁 MO源事业部总经理 |
| 15:45-16:05 |
从传统到先进，半导体产业工艺技术发展蜕变过程的ESH管理挑战及实践 |
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江颖俊，中芯国际EHS总监 |
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| 16:05-16:30 |
TüV莱茵与SEMI S2&S8认证 |
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孙吟龙，莱茵技术（上海）有限公司项目经理 |
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| 16:30-16:55 |
TBD |
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庄博闻 |
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| 18:30-20:30 |
欢迎晚宴 |
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| 2019年7月19日 周五 |
| 分会场-1 |
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| 09:00-09:25 |
解析4H-SiC晶体物理气相传输过程中的位错形成过程 |
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Noboru Ohtani, 关西学院教授 |
| 09:25-09:50 |
4H碳化硅上氮及磷掺杂的4H碳化硅外延厚膜的光学研究 |
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冯哲川，广西大学教授 |
| 09:50-10:10 |
热处理对半绝缘6H-SiC晶片缺陷及电性能的影响 |
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许庭翔 |
| 10:10-10:30 |
利用拉曼光谱研究宽带隙氮空位金刚石/Si异质结构的电子输运特性 |
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任韧 |
| 10:30-10:45 |
茶歇 |
| 10:45-11:10 |
高铝组分AlGaN材料的MOCVD外延生长研究进展 |
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李忠辉，南京电子器件研究所教授 |
| 11:10-11:35 |
无氨高温金属有机气相外延（AFHT-MOVPE）：高品质AlN生长的新方法 |
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沈旭强，日本产业技术综合研究所教授 |
| 11:35-11:55 |
石墨孔隙率对PVT生长SiC晶体的影响 |
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Mark Ramm |
| 11:55-12:15 |
液相法生长SiC单晶 |
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张泽盛 |
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| 分会场-2 |
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| 09:00-09:25 |
TBD |
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Kazuya Saito，爱发科 |
| 09:25-09:50 |
电网用碳化硅电力电子器件的设计与测试技术 |
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李金元，全球能源互联网研究院有限公司教授级高工 |
| 09:50-10:10 |
基于n-Ga2O3 / p-CuSCN核 - 壳微米线异质结的超灵敏太阳光盲探测器 |
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李山 |
| 10:10-10:30 |
氧化前氮注入与氧化后退火对4H-SiC MOSFETs沟道迁移率的影响 |
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费晨曦 |
| 10:30-10:45 |
茶歇 |
| 10:45-11:10 |
SiC基石墨烯场效应晶体管 |
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金智，中国科学院微电子研究所研究员 |
| 11:10-11:35 |
高阈值电压稳定性的4H-SiC VDMOSFET器件的设计与实现 |
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张艺蒙，西安电子科技大学教授 |
| 11:35-11:55 |
有源P+区设计对6500V 4H-SiC JBS二极管制备的影响研究 |
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桑玲 |
| 11:55-12:15 |
高性能4H-SiC沟槽JBS的研制 |
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袁昊 |
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| 分会场-3 |
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| 09:00-09:25 |
碳化硅器件在轨道交通应用的最新进展 |
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李华，株洲中车时代电气股份有限公司教授级高工 |
| 09:25-09:50 |
使用表面活化键合（SAB）方法对永久或暂时性SiC-SiC晶圆键合的影响 |
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须贺唯知，明星大学教授 |
| 09:50-10:10 |
用于工业和汽车SiC MOSFET功率模块的高温栅极驱动器 |
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Pierre Delatte |
| 10:10-10:30 |
高功率密度碳化硅混合开关模块设计与开发 |
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宁圃奇 |
| 10:30-10:45 |
茶歇 |
| 10:45-11:10 |
SiC封测技术研究 |
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董勇 |
| 11:10-11:35 |
基于SiC技术的电机控制器 |
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孙辉 |
| 11:35-11:55 |
TBD |
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李现兵 |
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| 12:15-13:30 |
午餐 |
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| 主会场 |
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| 13:30-14:05 |
利用同步辐射X射线衍射形貌绘制氮化镓晶格平面取向图 |
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坂田修身，东京工业大学材料与化学技术学院教授 |
| 14:05-14:40 |
β-Ga2O3晶体研究进展 |
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郝建民 |
| 14:40-15:15 |
碳化硅门极可关断晶闸管关键技术研究 |
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王燕，清华大学教授 |
| 15:15-15:35 |
茶歇 |
| 15:35-16:10 |
当今市场中的功率宽频带半导体解决方案 |
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Filippo Digiovanni，意法半导体市场战略总监 |
| 16:10-16:45 |
宽禁带半导体电力电子应用的潜力 |
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龙腾，剑桥大学教授 |
| 16:45-17:05 |
闭幕式暨颁发奖项 |
