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IC设计与制造
华虹宏力这个项目获2018年度上海市科技进步二等奖
出自:华虹宏力微资讯

在刚刚举行的2018年度上海市科学技术奖励大会上,华虹集团旗下华虹宏力“高压大功率深槽型超级结MOSFET技术开发”项目荣获上海市科技进步二等奖。



华虹宏力是全球领先的功率分立器件8英寸代工厂,拥有15年以上的功率器件稳定量产经验。华虹宏力自主研发的深槽型超级结工艺平台,可以加工500V~1200V的系列产品,相对业界传统的多次外延超级结加工方式可以大幅降低制造成本,提升产品加工效率,其中第三代平台的RSP低至1.2ohm·mm2,可以完全比肩国际商业化超级结器件生产的最高水平,高度契合当前热门的大功率快充电源、LED照明电源以及新能源汽车充电桩的应用需求,并且在传统的PC电源及云服务器电源方面也有优异的表现。

 

 

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文章收入时间: 2019-05-16
 
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