设为首页 设为首页 加入收藏 加入收藏 网站地图
[请登陆][免费注册]
搜 索

您的位置 :首页 技术 设备材料
设备材料
中微在南昌大规模制造MOCVD设备
                   0
出自:SEMI中国

南昌将成为中微半导体设备(上海)有限公司(中微)具有自主知识产权MOCVD设备大规模制造基地。南昌市副市长杨文斌和中微董事长尹志尧4月22日分别代表南昌市政府和中微公司,在南昌签订了战略合作框架协议。南昌市委书记殷美根、南昌市代市长刘建洋、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲、中国LED产业与应用联盟秘书长关白玉等见证了签约仪式。

据双方合作协议,中微公司将在南昌大规模制造具有自主知识产权的MOCVD设备,并不断扩大生产规模,将南昌高新区打造成为全球最重要、规模最大的高端MOCVD装备制造基地;推进在南昌开展MOCVD相关的基础科学研究,包括深紫外、功率器件及Micro LED等第三代半导体的应用产品开发,逐步将南昌中微打造成为在国内外有重大影响力的研发平台和世界级MOCVD研发、制造及创新中心;与南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心合作,加快推进硅衬底LED原创技术产业化;积极促进中微生产基地及上下游供应链企业落户南昌高新区,吸引国际一流的设备和材料厂商落户,形成半导体高端设备制造的产业集群。

在签约仪式上,中微还与兆驰半导体、乾照光电、聚灿光电、德豪润达、士兰明芯等企业签订了总数超过两百台的MOCVD设备销售合同。目前,中微已落户南昌高新区,一期租赁9000平方米厂房进行过渡生产,现已经实现部分投产,预计5月上旬可实现全面投产;项目二期将在2019年启动建设。

尹志尧博士在致辞时承诺,通过与南昌市政府和开发区密切合作在南昌建立中微的设备制造基地,并协助共同开发南昌半导体设备和材料基地。同时,尹志尧博士还对上海科创投、国家集成电路发展基金、兴橙资本、华登国际等中微投资方对公司一贯的大力支持表示衷心感谢。

 

 

0
                   0
文章收入时间: 2018-04-23
 
SEMI简介 | About SEMI | 联系我们 | Privacy Policy | semi.org
Copyright © 2018 SEMI®. All rights reserved.
沪ICP备06022522号
沪公网安备31011502000679号