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Soitec宣布其应用在三维图像传感设备上的衬底获得突破
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出自:大半导体产业网

新的成像器-SOI衬底使硅基图像传感器能够
提高近红外光谱性能

Soitec11月30日宣布用于其专门为制造在近红外(NIR)应用中(包括先进的三维图像传感器)正面成像而设计的成像-SOI产品线上的最新一代绝缘层上硅(SOI)衬底。Soitec现在可以大量提供高成熟度的新SOI晶圆,以满足增强现实(AR)、虚拟现实(VR)、面部识别安全系统,先进的人机接口以及其他新兴应用中不断增长的3D相机市场需求。

“我们最新的成像仪-SOI衬底代表公司取得的一个主要成就,以及一个可增加在近红外光谱领域性能的非常聪明的方法,加快了不断增长的3D成像和传感市场上新的应用,” Soitec数码电子事业部执行副总裁Christophe Maleville说道。“在SOI的衬底上构建这些创新传感器设计代表是通过利用我们在超薄层传输方面的先进技术和我们在制造埋氧化层(盒)层衬底上的广泛的制造经验”实现的。

新的SOI衬底使得能够将高分辨率硅基CMOS图像传感器的工作范围轻松扩展到近红外光谱中。这种优化的SOI衬底大大提高了近红外光谱的信噪比。
根据Yole Développement的报告,三维成像和传感设备市场预计在未来五年的复合增长率将达到37.7%,2022的销售额达到90亿美元。市场研究和咨询公司预测,2018可能会看到大量的产品涌入,而首先的应用会是在移动电子和计算领域。

*来源:三维成像和传感报告,Yole Développement,2017年4月。

 

 

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文章收入时间: 2017-12-08
 
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