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IC设计与制造
2017 年行业向 10nm 以下工艺发展面临的新挑战
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出自:SEMI中国

当我们展望 2017 年的半导体制造业时,显然,为了实现生产节点达到 10nm 以下的目标,仍有一些技术障碍尚待解决。RF 匹配网络就是其中一例,该行业仍然依赖于二十世纪四十年代的真空电容器技术。直到最近,才有人能够解决固态 RF 匹配挑战。该行业长期以来一直专注于工艺挑战,但到 2017 年,我们相信越来越多的制造商将开始关注工具以外的领域,以寻求优化子系统的方法,例如提高性能。


Reno Sub-Systems业务开发总监Bill Suber

他们的关注领域之一则是最先进等离子体刻蚀和沉积应用的当前处理速度,其受限于工艺气体的开启/关闭速度,以及 RF 匹配网络中真空电容器的速度。该问题超过了工艺范围,且必须在子系统解决。例如,Reno 投入了大量资金开发可以在 500μs 范围内调谐的电子可变电容 (EVC™) RF 匹配技术;FlowNode™ 是目前市场上速度最快、最精准且范围最广的超低流量 (<0.01sccm) 气流控制技术。

根据超大规模集成电路 (VLSI) 研究报告,中国目前占全世界 300mm 晶圆产能的 7%,其计划到 2018 年达到 15%。此外,根据“中国制造 2025”计划,中国的目标是到 2020 年将其集成电路自给自足率提高到 40%,并到 2025 年进一步提高到 70%。

实现上述目标的关键在于获得 ≤16nm、3D NAND 和 DRAM 技术。此外,在过渡到这些先进工艺时,中国可以采用新技术(如破坏性 RF 和流量)来实现其目标,从而超越当前能力。
 

 

 

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文章收入时间: 2017-03-14
 
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