设为首页 | 加入收藏  
 
 
本期杂志
半导体制造
  杂志导航
  本期内容
  过刊查询
  杂志广告
  免费索取
  编辑计划
  编辑队伍
  联系我们
   
  技术分类
  制造工艺
  封装与组装
  光刻
  测量与检测
  材料
  配件与子系统
  制造设施
您的位置:首页 专业媒体 杂志搜索      
《半导体制造》2008年8月刊 下载 (PDF 36.3 MB)
编者寄语  
· 终端市场与设备订单为何脱节?
尽管电子产品的需求旺盛带动了IC产品市场,且各大Fab产能利用率也都在90%左右,但这些“利好”并没给半导体设备供应商带来好运。
IC人生
从21万到1.1亿
上海新阳半导体材料有限公司董事长兼总经理王福祥有一句座右铭——“把企业当事业做,把事业当生活过”,新阳承载了王福祥对事业的全部追求,随着新阳的不断成长,王福祥也深深体会到了创业的乐趣。
封面文章
光刻胶——光刻技术发展的拦路虎?
光刻胶与光刻技术的发展密不可分,未来的发展趋势将是193纳米光刻胶与EUV光刻胶双管齐下。目前的难点主要有光刻胶的灵敏度和分辨率不够、厚度和均匀性难以控制、缺陷过多、掩膜版误差增强因子(MEEF)及边缘粗糙等。
技术创新和洞察
紫外光纳米压印光刻
纳米压印光刻是低成本、高分辨率、大面积图形的加工技术,已作为32、22和16nm节点的IC制造技术列入ITRS。基于紫外光(UV)的纳米压印光刻可以制作纳米级以上的图形,未来前景广阔。
两次图形曝光所用NC校正和节距分解的拓扑方法
拓扑和图像模拟驱动方法可用于NC DFM检查,并且稳定可靠,可以在MDP早期实现无误差NC检测。
钝化刻蚀过程中充电电位的最小化
钝化刻蚀过程中工艺组件的配置和刻蚀速率均匀性对充电电位有很大影响,该电位是因硅环位置不对引起晶圆接地不好产生的,改善刻蚀速率不均匀性可减少异常电荷累积。
优化CMOS逻辑功率性能比的在线监控
晶圆上某些特殊的监控结构可以提供关键的器件叠加电容信息,并直接提供了产品功率性能比的测量,能用来在进行真实产品测试前增进对其性能的了解。
C4NP无铅焊料凸点与三维微型凸点技术
随着半导体工业不断向300毫米晶圆工艺和无铅倒装芯片互连工艺的方向转移,C4NP已逐步成为焊料凸点工艺的一项可行性替代技术。其可制造能力与性能完全可满足C4互连的要求。
全自动涂胶机的研制及应用
CAMSTAR闭环质量管理
 
新闻与观点
450mm晶圆背后的五大误区
“2008半导体设备供应商客户满意度排行榜”揭晓
2010年光刻掩膜市场可达38.9亿美元
2008年全球半导体市场将温和增长
SEMICON West 2008:半导体制造业的无限可能
SEMICON West新闻
SEMICON West新产品
 
市场观察  
半导体厂商资本支出第三季度末有望触底反弹
总裁访谈  
不踢“中超”只踢“世界杯”
专题报道
显示市场令人眼花缭乱
从LCD市场增长到面板尺寸增大是否已接近尾声,从手机触摸屏市场到液晶电视的增长潜力,从制造商的资本支出再到高端市场应用……所有这些正在引起业内人士的高度关注。
 
半导体ABC
半导体晶圆厂布局优化
半导体工艺基础
 
中国生意经
 
SEMICON China 20 周年专栏
 
  文章查询
  近期活动信息 >>
 
2008年8月13日-15日
The 2nd Thailand Nano Conference
 
2008年9月9日-11日 SEMICON Taiwan 2008
 
2008年9月9日-12日 ITEXPO West 2008
 
2008年10月2-6日 日本高新科技展览会
 
2008年10月7日-9日
SEMICON Europa 2008
 
 
 
2008年10月23-25日
墨西哥国际电子博览会
 
 

 
apeng@semi.org
  友情链接 >>  
 
  中国电子报 |  电子设计应用中华芯-电子与封装 | 半导体科技半导体行业| 半导体国际 |  上海集成电路协会 | 半导体技术天地 |  硅业在线 |  DIGITIMES |  电子元器件网 |  LED照明网 | 电子资讯时报  
 
  有关SEMI | 技术标准 | SEMI会员 | 工业主张
Copyright 2006 Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI). All rights reserved.
沪ICP备06022522号  '