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第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议
(APCSCRM 2019)
会议官网:http://www.apcscrm2019.iawbs.com
 
第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议(2019年)(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2019))将于2019年7月17日-20日在北京海淀区(北京世纪金源大饭店)召开,参会规模600人。APCSCRM 2019会议主题包括:宽禁带半导体材料生长与外延技术;宽禁带半导体器件及测试分析技术;宽禁带半导体器件封装模块、系统解决方案及应用;半导体产业标准化及EHS发展。
 
主办单位:  
 
承办单位:  
 
特邀嘉宾:
居龙 Filippo Digiovanni Gourab Majumdar
SEMI中国区总裁 意法半导体市场战略总监 日本三菱电机公司首席科学家
 
一、会议时间与地点:
时间:2019年7月17日 - 20日
地点:北京世纪金源大饭店(北京市海淀区板井路69号)
 
二、会议议程(会议注册:https://www.wjx.top/m/41052072.aspx
2019年7月17日 周三
09:00-20:00 会议报道及现场注册
14:00-16:30 宽禁带半导体技术与产业发展高峰对话
16:30-17:30 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟会员大会
2019年7月18日 周四
主会场  
09:00-09:30 开幕式
09:30-10:05 宽禁带半导体材料及器件的研究进展以及APCSCRM国际会议对其将产生的影响
  Gourab Majumdar,日本三菱电机公司首席科学家
10:05-10:25 茶歇
10:25-11:00 SiC和GaN功率器件的设计,商业化和应用
  张清纯,Alpha and Omega Semiconductors教授
11:00-11:35 全球半导体产业的新变局新形势
  居龙,SEMI中国区总裁
11:35-11:45 大幅提升产量并减少材料浪费
  Microdiamant AG
11:45-11:55 关于宽禁带半导体材料表征的计量解决方案
  Semilab
11:55-12:05 下一代宽禁带功率半导体外延生产技术
  Aixtron SE
12:05-13:30 午餐
   
分会场-1  
13:30-13:55 氧化镓外延薄膜生长与日盲紫外光电探测器件
  唐为华,北京邮电大学教授
13:55-14:20 碳化硅单晶生长研究及产业化进展
  刘春俊,北京天科合达半导体股份有限公司研究员
14:20-14:45 电力器件用SiC外延片的发展及量产现状
  Hiroshi Kanazawa,昭和電工设备解决方案部部长
14:45-15:05 宽禁带半导体电力电子材料到系统的投资机遇和挑战
  周贞宏
15:05-15:25 PVT方法生长碳化硅晶体中位错密度模拟
  陈启生
15:25-15:40 茶歇
15:40-16:05 氮化镓单晶材料的生长研究与应用进展
  徐科,苏州纳维科技有限公司教授
16:05-16:30 4H-SiC晶片划痕及其对外延生长的影响
  孙国胜,中国科学院半导体研究所教授
16:30-16:55 高品质4H-SiC晶体生长的改进工艺参数
  Won-Jae Lee,东义大学先进材料工程系教授
16:55-17:15 50mm厚6英寸4H-SiC晶体生产工艺、热处理减少缺陷及其表征
  P.S.Raghavan
17:15-17:35 使用DLTS设备利用十字交叉采样的方法研究4H-SiC外延片的深能级分布
  何亚伟
   
分会场-2  
13:30-13:55 利用SiC晶体中的单光子源的室温电子可控量子器件
  土方泰斗,琦玉大学教授
13:55-14:20 碳化硅离子注入技术
  新井学,新日本无线功率器件开发部经理
14:20-14:45 氮化镓肖特基接触用氮化镍电极的合成
  敖金平,德岛大学教授
14:45-15:05 SiC MOS器件近界面氧化物陷阱、性能和稳定性控制技术的研究进展
  王德君
15:05-15:25 高温氧化法抑制6.5kV pn二极管正向电压退化
  卜渊
15:25-15:40 茶歇
15:40-16:05 金刚石半导体的新进展
  王宏兴,西安交通大学教授
16:05-16:30 SiC功率器件宇航应用及辐射效应研究
  高博,西安微电子技术研究所高级工程师
16:30-16:55 SiC MOSFET器件技术方面的最新研究进展
  黄润华,南京电子器件研究所研究员
16:55-17:15 过渡区结构对SiC MOSFET导通电阻的影响
  刘少煜
17:15-17:35 用于4H-SiC MOS器件的Al(ON)栅介质
  夏经华
   
分会场-3  
13:30-13:55 对于车载电气化用SiC MOSFET逆变器的系统思考
  蔡蔚,精进电动教授
13:55-14:20 第三代半导体在新能源汽车领域应用技术路线和发展前景
  原诚寅,北京新能源汽车技术创新中心有限公司|教授级高工
14:20-14:45 轨道交通用3300V碳化硅器件和模块
  李诚瞻,株洲中车时代电气股份有限公司|博士
14:45-15:05 重离子引入内在缺陷对SiC结势垒肖特基二极管可靠性影响研究
  于庆奎
15:05-15:25 Si/SiC异质结IMPATT和MITATT二极管小信号及噪声性能的模拟
  韦文生
15:25-15:40 茶歇
15:40-16:05 室温硅片键合制备SiC压力传感器的可行性研究
  母凤文, 早稻田大学讲师
16:05-16:30 SiC器件在新能源产品中的应用
  谢峰,深圳市禾望电气股份有限公司|高级工程师
16:30-16:55 值得信赖的技术革命——英飞凌碳化硅技术及产品介绍
  李国虓,英飞凌工业市场经理
16:55-17:15 脉冲紫外激光辐照对4H-SiC MOS电容电学性质的影响
  罗志鹏
   
分会场-4  
13:30-13:55 SEMI标准介绍
  金燕,SEMI中国高级标准专员
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13:55-14:20 宽禁带半导体材料的标准化
  贺东江,半材标委会理事长
14:20-14:45 中关村标准战略
  王钧,中关村标准化协会执行副理事长
14:45-15:05 SEMI标准及EHS对半导体行业的影响
  Supika Mashiro,东京电子股份有限公司专家
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15:05-15:20 茶歇
15:20-15:45 MO源安全制造及使用
  陈化冰,江苏南大光电股份有限公司副总裁 MO源事业部总经理
15:45-16:05 从传统到先进,半导体产业工艺技术发展蜕变过程的ESH管理挑战及实践
  江颖俊,中芯国际EHS总监
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16:05-16:30 TüV莱茵与SEMI S2&S8认证
  孙吟龙,莱茵技术(上海)有限公司项目经理
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16:30-16:55 TBD
  庄博闻
   
18:30-20:30 欢迎晚宴
   
2019年7月19日 周五
分会场-1  
09:00-09:25 解析4H-SiC晶体物理气相传输过程中的位错形成过程
  Noboru Ohtani, 关西学院教授
09:25-09:50 4H碳化硅上氮及磷掺杂的4H碳化硅外延厚膜的光学研究
  冯哲川,广西大学教授
09:50-10:10 热处理对半绝缘6H-SiC晶片缺陷及电性能的影响
  许庭翔
10:10-10:30 利用拉曼光谱研究宽带隙氮空位金刚石/Si异质结构的电子输运特性
  任韧
10:30-10:45 茶歇
10:45-11:10 高铝组分AlGaN材料的MOCVD外延生长研究进展
  李忠辉,南京电子器件研究所教授
11:10-11:35 无氨高温金属有机气相外延(AFHT-MOVPE):高品质AlN生长的新方法
  沈旭强,日本产业技术综合研究所教授
11:35-11:55 石墨孔隙率对PVT生长SiC晶体的影响
  Mark Ramm
11:55-12:15 液相法生长SiC单晶
  张泽盛
   
分会场-2  
09:00-09:25 TBD
  Kazuya Saito,爱发科
09:25-09:50 电网用碳化硅电力电子器件的设计与测试技术
  李金元,全球能源互联网研究院有限公司教授级高工
09:50-10:10 基于n-Ga2O3 / p-CuSCN核 - 壳微米线异质结的超灵敏太阳光盲探测器
  李山
10:10-10:30 氧化前氮注入与氧化后退火对4H-SiC MOSFETs沟道迁移率的影响
  费晨曦
10:30-10:45 茶歇
10:45-11:10 SiC基石墨烯场效应晶体管
  金智,中国科学院微电子研究所研究员
11:10-11:35 高阈值电压稳定性的4H-SiC VDMOSFET器件的设计与实现
  张艺蒙,西安电子科技大学教授
11:35-11:55 有源P+区设计对6500V 4H-SiC JBS二极管制备的影响研究
  桑玲
11:55-12:15 高性能4H-SiC沟槽JBS的研制
  袁昊
   
分会场-3  
09:00-09:25 碳化硅器件在轨道交通应用的最新进展
  李华,株洲中车时代电气股份有限公司教授级高工
09:25-09:50 使用表面活化键合(SAB)方法对永久或暂时性SiC-SiC晶圆键合的影响
  须贺唯知,明星大学教授
09:50-10:10 用于工业和汽车SiC MOSFET功率模块的高温栅极驱动器
  Pierre Delatte
10:10-10:30 高功率密度碳化硅混合开关模块设计与开发
  宁圃奇
10:30-10:45 茶歇
10:45-11:10 SiC封测技术研究
  董勇
11:10-11:35 基于SiC技术的电机控制器
  孙辉
11:35-11:55 TBD
  李现兵
   
12:15-13:30 午餐
   
主会场  
13:30-14:05 利用同步辐射X射线衍射形貌绘制氮化镓晶格平面取向图
  坂田修身,东京工业大学材料与化学技术学院教授
14:05-14:40 β-Ga2O3晶体研究进展
  郝建民
14:40-15:15 碳化硅门极可关断晶闸管关键技术研究
  王燕,清华大学教授
15:15-15:35 茶歇
15:35-16:10 当今市场中的功率宽频带半导体解决方案
  Filippo Digiovanni,意法半导体市场战略总监
16:10-16:45 宽禁带半导体电力电子应用的潜力
  龙腾,剑桥大学教授
16:45-17:05 闭幕式暨颁发奖项
 
2019年7月20日 周六
全天 自由交流讨论
 
会议注册:https://www.wjx.top/m/41052072.aspx
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三、大会主席(按姓氏字母排列):
陈小龙(北京天科合达半导体股份有限公司,中国科学院物理研究所,中国)
Filippo Digiovanni(意法半导体,瑞士)
Gourab Majumdar(三菱电机,日本)
 
四、会议咨询/参展联系人
吴迪 刘祎晨
Tel: +86 21-60278509 Tel: +8610-61256850-657或+86-18931699592
Email: ein.wu@semichina.org Email: liuyichen@iawbs.com
 
五、会议注册
直接注册报名通道:https://www.wjx.top/m/41052072.aspx
注册类别 提前注册
(2019/06/17之前)
之后 / 现场
(2019/06/17之后)
联盟会员
(或SEMI会员)
一般代表 ¥2000 / $300 ¥2500 / $375
学生代表 ¥1600 / $240 ¥2000 / $300
非联盟会员 一般代表 ¥2500 / $375 ¥2800 / $415
学生代表 ¥1600 / $240 ¥2000 / $300
 
会议相关网址:
会议官网: http://www.apcscrm2019.iawbs.com/
主办官网: http://www.iawbs.com/
  https://www.semi.org.cn/
承办官网: http://www.tankeblue.com/
 
 

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