如果你不能正常浏览页面,请点击此处
English Version
日期:2018年4月19日
时间:09:00-16:30
地点:泉州酒店,南馨楼三层麒麟厅(泉州, 鲤城区, 庄府巷22号)
    
重要通知:
1. 4月11日前完成参会报名信息可免费参会,4月11日后报名费用为人民币800元;
2. SEMI会员、SIIP China(SEMI产业创新投资平台)会员优先参加;
3. 同期活动:SEMI中国HB-LED标准技术委员会2018年度春季会议
4. 参会报名
    注册系统已关闭,谢谢您的支持。
    3). 我们将在4月3日、4月8日、4月12日、4月16日 分批发送参会确认函,若未能,请联络我们。
 
主办方:
   
承办方:
   
独家钻石赞助:
   
相对于硅材料,以砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等为代表化合物半导体化具有更优异的光电性能、高速、高频、大功率、耐高温和高辐射等特征。在LED、3D感测(VCSEL)、微波通信、5G通讯、新能源、电动汽车、高铁、航空航天等领域发挥着越来越广泛且核心的作用。
 
如何实现化合物半导体相关的新型器件的效率提升、成本下降进而实现超大规模制造,化合物晶圆材料的发展成为产业链里最重要的环节之一。SEMI中国特别推出化合物专题的中国半导体晶圆材料技术论坛,议题涵盖大尺寸碳化硅、蓝宝石、氮化镓以及砷化镓晶圆材料技术最新趋势,解析器件制程对于材料的要求及所面临的挑战。
 
会议议程:
 
09:00-09:30 论坛注册
Registration
  
09:30-09:40 欢迎致辞
Welcome Remark
吕刚
福建省泉州市人民政府副市长
  
09:40-10:10 主旨演讲
Keynote Speech
RF-SOI: 助推5G移动互联
RF-SOI: Enabling 5G Connectivity

王庆宇 Jeffrey Wang
上海新傲科技股份有限公司总经理
CEO of Shanghai Simgui Technology Co., Ltd
  
10:10-10:40 坩埚下降法蓝宝石晶体生长技术及其在LED中的应用
Sapphire growth by vertical gradient freeze method and its applications in LEDs

王江波博士 Dr. Jiangbo Wang
华灿光电副总裁
VP of HC SEMITEK
  
10:40-11:10 碳化硅大尺寸晶圆及外延材料技术进展
SiC Substrate and Its Epitaxial Materials Technology

冯淦博士 Dr. Gan Feng
瀚天天成电子科技(厦门)有限公司总经理
General Manager of Epiworld International Co., LTD
  
11:10-11:40 化合物半导体-我国半导体产业的突破口
Compound Semiconductor-the Breakthough of Semiconductor Industry in China

朱邵歆博士 Dr. Shaoxin Zhu
中国电子信息产业发展研究院(赛迪研究院)集成电路研究所高级工程师
Senior Engineer of China Center for Information Industry Development IC Industry Research Institute
  
11:40-13:30 午餐
  
13:30-14:00 氮化镓衬底晶片的研究和产业化进展
Research and Industrial Development on GaN Substrate Wafer

徐科博士 Dr. Ke Xu
苏州纳维科技有限公司董事长
Chairman of Nanowin
  
14:00-14:30 碳化硅单晶衬底产业化进展
SiC Single Crystal Substrate Industrial Development

彭同华博士 Dr. Tonghua Peng
天科合达副总经理
Vice General Manager of TankeBlue Semiconductor
  
14:30-15:00 大尺寸碳化硅晶圆材料制造技术进展
Large Scale SiC Wafer Material Manufacturing Technology

张洁 Jack Zhang
福建北电新材料科技有限公司副总经理
Vice General Manager of Norstel
  
15:00-15:30 蓝宝石图形衬底形貌与缺陷检测方法
Introduction to the Inspection Methods of Pattern Shape and Defects of Patterned Sapphire substrate (PSS)

谢斌晖博士 Dr. Pinhui Hsieh
福建晶安光电有限公司总经理助理
Assistant General Manager of JINAN OPTOELECTRONICS
  
15:30-16:00 砷化镓及磷化铟晶圆技术介绍
GaAs and InP Substrate Wafer Technology

任殿胜博士 Dr. Diansheng Ren
北京通美晶体技术有限公司总监
Director of AXT, Inc.
  
16:00-16:30 宽禁带半导体材料的晶体生长技术
Crystal Growth of Wideband Gap Semiconducting Materials

Dr.P.S.Raghavan
Chief Technology Officer of GT Advanced Technology
  
17:30-20:00 产业招待晚宴
Industry Reception Dinner
  
Agenda is subject to change 议程变化恕不另行通知
 
更多演讲机会及会议咨询
戚发鑫 / Daniel Qi 黄晓依 / Sophia Huang
Tel: 021-6027.8576 Tel: 021.6027.8553
Email: fqi@semi.org Email: shuang@semi.org
 

感谢接收此邮件。如您想退订请点击此处
Click here to unsubscribe from this list only.
To unsubscribe from all SEMI email promotions, please email us at marketingservices@semi.org.

Copyright® 2018 SEMI. All rights reserved.

SEMI China is at 8th floor, 2nd Building, No. 1158, Zhang Dong Road, Shanghai, China, 201203
Tel: +86.21.6027.8500, Fax: +86.21.6027.8511, Web site: www.semichina.org