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English Version |
日期:2018年4月19日 |
时间:09:00-16:30 |
地点:泉州酒店,南馨楼三层麒麟厅(泉州, 鲤城区, 庄府巷22号) |
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重要通知: |
1. 4月11日前完成参会报名信息可免费参会,4月11日后报名费用为人民币800元; |
2. SEMI会员、SIIP China(SEMI产业创新投资平台)会员优先参加; |
3. 同期活动:SEMI中国HB-LED标准技术委员会2018年度春季会议; |
4. 参会报名 |
注册系统已关闭,谢谢您的支持。 |
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3). 我们将在4月3日、4月8日、4月12日、4月16日 分批发送参会确认函,若未能,请联络我们。 |
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相对于硅材料,以砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等为代表化合物半导体化具有更优异的光电性能、高速、高频、大功率、耐高温和高辐射等特征。在LED、3D感测(VCSEL)、微波通信、5G通讯、新能源、电动汽车、高铁、航空航天等领域发挥着越来越广泛且核心的作用。 |
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如何实现化合物半导体相关的新型器件的效率提升、成本下降进而实现超大规模制造,化合物晶圆材料的发展成为产业链里最重要的环节之一。SEMI中国特别推出化合物专题的中国半导体晶圆材料技术论坛,议题涵盖大尺寸碳化硅、蓝宝石、氮化镓以及砷化镓晶圆材料技术最新趋势,解析器件制程对于材料的要求及所面临的挑战。 |
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会议议程: |
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Agenda is subject to change 议程变化恕不另行通知 |
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更多演讲机会及会议咨询 |
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