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南亚科10nm DRAM技术突破
出自:中国半导体论坛

据台媒报道,南亚科总经理李培瑛于 10 日宣布,已完成自主研发 10 纳米级 DRAM 技术,将在今年下半年试产!

全球 DRAM 内存芯片主要掌握在三星、SK 海力士、美光三家公司中,他们的份额高达 95% 以上,关键原因就在于这三家的技术专利形成了极高的门槛,其他公司突围起来很难。

南亚科之前的内存也是来自美光授权,今年他们将转向自研的 10nm 级内存,未来将自产 DDR4/LPDDR4/DDR5 等内存颗粒。

在美光前两年全资收购华亚科之后,南亚科技变成了全球第四大内存厂,不过份额只有2% 左右,而且技术来源也主要是美光授权,而且技术落后较多,在三星、美光、SK 海力士转向 1X、1Y、1Znm 工艺之后,南亚的主力还是 30nm 等,来自美光授权,这两年才搞定 20nm 内存,也是授权+合作研发的模式,南亚上次自己搞内存研发还是 99nm 时代。

在 10nm 级内存芯片中,南亚决定自研了,目前 10nm 级前导产品预计会在今年下半年试产,主要包括 8Gb 核心的 DDR4、LPDDR4 及未来的 DDR5,都可以由自研的技术平台生产。

在解决 10nm 级内存工艺技术之后,南亚还会继续研发第二代 10nm 级工艺,预计 2022 年量产,还会开发第三代 10nm 级工艺。 

 

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文章收入时间: 2020-01-14
 
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