设为首页 设为首页 加入收藏 加入收藏 网站地图
[请登陆][免费注册]
搜 索

您的位置 :首页  新闻半导体
三星2021年量产3nm 工艺芯片
出自:大半导体产业网

三星近日在日本举行的“三星晶圆代工论坛”(SFF)上,公布了其新一代工艺的进展,3nm工艺预计2021年量产。

据悉在3nm节点上,三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺。GAA晶体管,三星称之为3GAE工艺。

基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管)。三星称,该技术可以显著增强晶体管性能,并取代FinFET晶体管技术。而且,MBCFET还兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。

三星称,与现在的7nm工艺相比,3nm工艺可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

今年4月,三星在其韩国华城的S3 Line工厂开始量产7nm芯片。 

 

0
文章收入时间: 2019-09-12
 
SEMI简介 | About SEMI | 联系我们 | Privacy Policy | semi.org
Copyright © 2018 SEMI®. All rights reserved.
沪ICP备06022522号
沪公网安备31011502000679号