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湖大3D存储器选通管技术,致力打造中国制造存储芯片
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出自:长江日报

9日,记者在2018年第四批科技成果转化签约大会湖北大学专场上获悉,湖北大学物理与电子科学学院王浩教授领衔的团队,与长江存储科技有限责任公司签约受让3D存储器选通管技术,年产值预计将达60亿元。双方达成战略合作,将继续在3D存储器选通管和高密度阻变存储器及其集成技术的研究上开展合作,全力研发下一代3D存储芯片,为早日实现存储器芯片技术的国产化贡献力量。

选通管技术是3D存储器制造的必备原件。在国家科技重大专项、国家重点研发计划和湖北省技术创新重大项目等项目的支持下,王浩教授团队近年来专攻选通管技术,目前,研发成果已发表多篇学术论文,先后获得7项国家发明专利。

据王浩教授介绍,随着云计算、大数据、物联网等应用的发展,未来对存储器的需求会持续增加,我国存储器的消耗量占全球总消耗量的50%以上,市场约415亿美元,但是存储器芯片85%依赖进口,这对于发展自主可控的中国信息技术产业是一个很大的挑战。王浩团队的研究就是存储器芯片国产化生产的一个子项目,选通管是3D X-Point存储器芯片的重要组成部分,将为生产下一代3D存储器提供技术支持。

据介绍,3D存储器投入量产后的市场价值约有1千亿,选通管技术将占其中60亿。王浩介绍,目前湖大正致力选通管技术的研发,希望通过与长江存储的合作,联合多方攻关,共同推进信息技术的现实转化,打造存储芯片的“中国制造”。

王浩教授表示,对湖北大学来说,与国家存储器基地深度合作,可以了解最前沿的集成电路技术,寻找可能的项目合作机会,从而实现对学生有针对性的培养,提高学生竞争力。这种合作不仅是立足本省,服务地方的重要方式,更是能够推动国家存储器事业越做越好。

 

 

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文章收入时间: 2018-06-11
 
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