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南亚科20纳米DDR4产能开出 存储器封测厂福懋科扩产
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出自:工商时报

台塑集团旗下存储器封测厂福懋科2018年预计投入逾22亿元(新台币,下同)资本支出,将大举扩建DDR4预烧(burn-in)及芯片封测产能,以因应来自南亚科20纳米DDR4产能开出后,对后段封测产能的强劲需求。由于2018年DRAM市场位元出货量持续增加,特别是南亚科成长幅度大,法人看好福懋科2018年营运表现将明显优于2017年。

福懋科2017年前3季合并营收59.79亿元,平均毛利率达15.9%,税后净利达到9.97亿元,较2016年同期成长33.5%,每股净利2.25元。随南亚科20纳米新制程产能在2017年第4季陆续开出,福懋科营收表现也见复苏,法人预估单季合并营收将达19~20亿元之间,优于第3季表现,全年每股净利有机会上看2.8~3.0元之间。福懋科不评论法人预估财务数字。

福懋科在日前召开法人说明会中指出,2017年第4季因欧美圣诞节假期及中国农历春节等旺季到来,整体存储器市场热络,需求大于供给。对于2018年整体DRAM市场供需状况仍然健康,主要是三大厂没有大规模扩厂动作。而随着存储器终端应用不断扩大,预期将为前段DRAM晶圆制造厂及后段封测厂均带来持续的位元成长动能,而且DDR4可望成为市场主流,福懋科已锁定争取移动式、消费性、服务器等DRAM封测订单。

法人表示,福懋科主要承接同集团的南亚科DRAM后段封测业务,南亚科2017年第3季加快20纳米DRAM制程微缩,当季底月产出量已逾1万片,2017年底月产能将拉高至3.8万片,加上原本采用30纳米的3万片产能,合计月投片量6.8万片。在产品线部份,20纳米4Gb DDR3产品已量产出货,8Gb DDR4产品亦在2017年第4季小量出货。

南亚科20纳米在2018年将快速进入量产阶段,预估全年位元销售量可望较2017年大增45%,对福懋科接单明显有利。为了因应南亚科2018年主攻DDR4市场,福懋科将投入逾22亿元扩建DDR4预烧及封测产能,有助于营收及获利重回成长轨道。 

 

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文章收入时间: 2018-01-04
 
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