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东芝96层3D NAND被疑有诈?
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出自:moneyDJ

东芝(Toshiba)和Western Digital(WD)领先业界,宣布抢在存储龙头三星电子之前,研发出96层3DNANDflash存储。韩国方面质疑此一新闻的真实性,指称东芝可能为了出售存储部门,蓄意放出消息、操弄媒体。

韩媒BusinessKorea 3日报导,东芝和WD为了东芝存储(Toshiba Memory Corporation、TMC)出售案,搞到撕破脸互告。韩国业界人士称,东芝财务吃紧,被迫出售存储求现,避免因为资本减损(capital impairment)下市,怀疑东芝有能力投入庞大资金、进行研发。

相关人士猜测,东芝发布96层3D NAND新闻稿,可能是想操纵媒体,炒热存储业务买气。此一消息可以突显东芝半导体的技术优势,有望抬高售价、加速出售脚步。他们表示,东芝在这个时间点放出该讯息相当可疑。

报导称,其实三星也已研发出96层3D NAND,但是考量到产品越先进,量产越困难,因此未对外公布,要先等到全面量产再说。文章力挺三星,指出就算堆叠层数相同,视各家公司技术和制造方法不同,表现仍有差异,因此堆叠层数变多,不能保证效能一定变好。

东芝明年量产96层3D NAND,QLC产品8月送样

全球第2大NAND型快闪存储厂东芝(Toshiba)28日宣布,已携手SanDisk研发出全球首款采用堆叠96层制程技术的3D NAND Flash产品,且已完成试作、确认基本动作。该款堆叠96层的3D NAND试作品为256Gb(32GB)、采用3bit/cell(TLC:Triple Level Cel)技术的产品,预计于2017年下半送样、2018年开始进行量产,主要用来抢攻数据中心用SSD、PC用SSD以及智能手机、平板电脑和记忆卡等市场。

据悉,该款产品将利用其位于日本的合资制造工厂四日市工厂“Fab 5生产线”、“新第2厂房”以及预计2018年夏天完成第1期工程的“Fab 6生产线”进行生产。西部数据强调其位于日本的合资制造工厂业务持续表现强劲,预计2017年公司整体3D NAND供货量,将有75%以上来自64层3D NAND(BICS3)技术的产品组合。而2017年西部数据与其合作伙伴东芝生产的64层3D NAND总产量,将远高于业界任何一家供应商。

东芝今后也计划推出采用堆叠96层制程技术的512Gb(64GB)3D NAND产品以及采用全球首见的4bit/cell(QLC=Quad-Level Cell)技术的3D NAND产品。

西部数据存储器技术执行副总裁Siva Sivaram博士表示:“我们成功开发出业界首创的96层3D NAND技术,验证西部数据在技术蓝图研发的执行能力。BiCS4可采用3-bits-per-cell与4-bits-per-cell两种架构,同时具备多种技术和制造方面的创新,以具吸引力的成本提供顾客最高的3DNAND储存容量、效能与可靠度。西部数据的3DNAND产品组合是专为各种终端市场所设计,范围涵盖消费者、移动装置、运算装置和数据中心。”

东芝目前已量产堆叠64层的3D NAND产品,而和64层产品相比,96层3D NAND每单位面积的记忆容量扩大至约1.4倍,且每片晶圆所能生产的记忆容量增加,每bit成本也下滑。

东芝并于28日宣布,已试做出全球首见、采用4bit/cell(QLC)技术的3DNAND产品,且已完成基本动作及基本性能的确认。该款QLC试作品为采用堆叠64层制程技术,实现业界最大容量的768Gb(96GB)产品,已于6月上旬提供给SSD厂、控制器厂进行研发使用。

东芝表示,堆叠16片768Gb芯片,实现业界最大容量1.5TB的QLC技术产品预计于2017年8月送样,且该款1.5TB产品将在8月7-10日期间于美国圣塔克拉拉举行的“Flash Memory Summit 2017”上进行展示。 

 

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文章收入时间: 2017-07-05
 
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