RF MEMS在过去20年有了令人惊异的增长。由于其损耗小、功耗低、RF性能优越，在商业与国防上有巨大潜力。本文概述RF MEMS及其应用。特别关注在IMETU（Institute of Microelectronic of Tsinghua University）研究的RF MEMS开关和MEMS移相器。介绍了不同结构组成的各种RF MEMS开关。这种MEMS开关呈现独特的性质，可用于未来的微型化天线和雷达系统。原型样品说明这种RF MEMS开关可作为信号通道控制、结构优化的基本结构，匹配电路很有...

建设基于物联网的进出境货物检验检疫物流监管系统, 在检验监管、物流监控、执法合作等领域不断强化信息资源的开发利用，促进资源共享和业务协作；通过现代化的执法手段和设备，实现“即查即放”的现场查验模式，确保通关便捷；通过可实时查询和追溯的全程监管系统，确保进出境货物的安全合法，以此全面提升检验检疫执法水平、提高执法效率，全力打造“智慧检验检疫”。

以先栅和替代栅二种集成方案制造了有代表性的高k/金属栅MOS电容堆叠。除了TiN金属栅外，基于铝和镧的覆盖层能分别调整PMOS和NMOS的有效功函数。改变TiN中Ti:N化学组分比能引起TiN功函数改变＞250mV。在替代栅方案中筛选不同的功函数材料能获得NMOS和PMOS之间1V间隔。在铝生长过程中衬底的修正是在窄栅沟槽中获得无空洞铝间隙填充的关键。

抛光垫修整臂的新设计能在抛光垫和修整盘对使用寿命期间，采用闭环控制(CLC)提高修整性能。测得的抛光垫修整器的力矩用于在现场实时监控修整和抛光过程。通过调节修整器的下压力以补偿工艺的偏移，CLC系统在整个抛光垫使用寿命期间维持工艺性能。

由于目前最先进CMOS器件的尺寸非常小，对准要求变得极具挑战性。测量触点至栅极对准的方法涉及用SEM扫描触点阵列，每次与接地栅极的重叠部分数量不同。电压对比信号表明哪些触点正在触及栅极。把样品晶圆数据与光学对准数据进行了比较。阐述了更充分比较二种技术的精度必须要做的后续工作。

塑封时产生的压力会引起芯片带隙基准电压一定的漂移，并且这种漂移与塑封料和工艺有密切关系，尤其是经历高温吸潮后这种漂移更加明显。本文介绍了一种减少塑封对芯片带隙基准电压漂移的方法即芯片上增加一层10-15um厚度的柔性材料polyimide。

多晶硅是主要功能半导体材料。磷作为主要施主杂质，其含量直接影响多晶硅的半导体性能。利用Aspen plus等软件对流程中主要的工艺系统模拟计算，并结合热力学反应分析，研究磷的分布规律、存在形式和量化含量；研究发现磷的主要化合物类型除PCl3，在还原或氢化炉这种高温、富氢条件下，PCl3会转化成PH3。在还原过程中磷存在富集效应。

基于绝缘体上硅（SOI）的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势，但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂。本文研究了利用离子注入改性SOI材料的总剂量辐射和退火效应、基于赝MOS技术的SOI材料辐射效应评估技术和离子注入改性提高SOI材料抗辐射性能的机理。

在氧化锆基片上丝网印刷Pt电极浆料，并在不同的温度下烧结制成电极。用扫描电镜表征烧结后多孔Pt/YSZ电极的微观形貌，并用电化学阻抗谱（EIS）研究多孔Pt/YSZ电极的电学性能。结果表明：烧结温度对电极微观形貌的影响很大，多孔Pt/YSZ电极有优良的催化性能。