对于中国本土制造来说，“心有多大，舞台就有多大”。低头耕地、聚焦市场决定了企业能不能活下来，而抬头看天、拥有超越商业的使命和价值观，决定了企业能不能做大、做强、做久。

刻蚀工艺面临的传统挑战将伴随着新兴技术的引入变得更加严峻。很多东西已不再为人们所熟识，很多努力需要从头来过，一切可能只是刚刚开始。

顶沟槽刻蚀的挑战包括特别要求最小的刻蚀深度加载和可靠的CD（特征尺寸）均匀性，无菱刻、毛刺和条纹。优化Enabler工作室上的NSTU、CSTU和各RF电源后，顶沟槽刻蚀基线实现了刻蚀均匀性的最佳等离子密度分布。

CMP后清洗在保持器件性能稳定方面起着极其重要的作用，用于Cu CMP工艺的新颖碱清洗化学溶液在无机颗粒与有机残余物的去除、Cu刻蚀速率、粗糙度、Cu/ULK晶圆上Cu腐蚀和缺陷率方面显示了卓越的性能。

电镀加工过程中，有许多因素会影响不均匀性百分比。BEOL的Cu金属化工艺中，较大的电镀板间距和低clamshell旋转速度是优化镀层剖面和提高Rs均匀性的有效方法。

DUV宽带明场检测设备和试验芯片的集成检测方法，可以识别引起良率下降的系统性缺陷和随机缺陷，为在45nm技术节点加速基于缺陷的良率学习，监控关键DOI，显著改善良率学习周期。

随着器件工艺不断朝着焊盘节距日趋精细化、焊盘金属化层日趋薄型化的方向发展，为了解决焊盘损伤的问题，镍基焊盘应运而生，下一代镍基焊盘将进一步优化铜引线键合工艺。

当产业处于低谷时，工程师、技术人员才有更多的时间来寻找改善工艺、降低成本的方法，才会尝试新品，对于供应商来讲，这正是新产品进入市场的绝佳时机。

通过从大规模半导体制造技术中所学来的方法，包括在线工艺控制、缺陷分析以及基于模型的温度控制等，高亮LED制造技术正在获得显著改良。